[发明专利]一种制备单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法有效

专利信息
申请号: 201610698718.1 申请日: 2016-08-22
公开(公告)号: CN106315677B 公开(公告)日: 2017-08-22
发明(设计)人: 常焜;汤宏伟;李苞;上官恩波;李熠辉;常照荣 申请(专利权)人: 河南师范大学
主分类号: C01G41/00 分类号: C01G41/00
代理公司: 新乡市平原专利有限责任公司41107 代理人: 路宽
地址: 453007 *** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 单层 硫化 石墨 复合材料 方法
【权利要求书】:

1.一种制备单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法,其特征在于具体步骤为:

(1)将硫代钨酸铵和锂盐化合物按1:2摩尔比混合研磨,研磨后的混合物在惰性气体保护下于800-1300℃保温1-10h,冷却至室温得到插锂的1T相硫化钨块体,所述的锂盐化合物为氢氧化锂、氯化锂、醋酸锂、碳酸锂、硫酸锂或硝酸锂中的一种或多种;

(2)将插锂的1T相硫化钨块体直接置于去离子水中,辅助超声水解剥离5-30min,再将得到的悬浮液置于离心机中,经离心分离去除未剥离的沉淀物后得到单层1T相WS2纳米片悬浮液;

(3)将氧化石墨烯加入到单层1T相WS2纳米片悬浮液中,超声分散5-10min,然后加入水合肼继续超声0.5-2h得到单层1T相WS2/石墨烯悬浮液,所述的氧化石墨烯与单层1T相WS2纳米片悬浮液中WS2的质量比为0.005-0.2:1;

(4)将得到的单层1T相WS2/石墨烯悬浮液在离心机上分别用水和乙醇离心洗涤去除可溶性杂质,最后将沉淀物单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料分散于小分子溶剂中保存,其中单层1T相WS2纳米片的厚度小于1nm。

2.根据权利要求1所述的制备单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法,其特征在于:步骤(2)中所述的离心机转速为1000r/min,步骤(4)中所述的离心机转速为4000-20000r/min。

3.根据权利要求1所述的制备单层1T相二硫化钨/石墨烯复合材料的方法,其特征在于:步骤(4)中所述的小分子溶剂为水、甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、丙酮、N-甲基吡咯烷酮或N-甲基甲酰胺。

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