[发明专利]一种以黑磷烯作为导电材料的硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于新能源领域，具体涉及一种以黑磷烯作为导电材料的硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法。

背景技术

近年来，薄膜太阳能电池因其原料用量少、制备能耗低、产品柔性好等优势，已日益成为太阳能电池领域的研究热点。就目前而言，薄膜太阳能电池领域技术比较成熟，光电转换效率比较高的主要有铜铟镓硒薄膜太阳能电池和碲化镉薄膜太阳能电池。对于铜铟镓硒薄膜太阳能电池，其光电转换效率已达到21.7%，但其生产工艺复杂，并且铟和镓价格昂贵，生产成本高，制约了其发展；对于碲化镉薄膜太阳能电池，其实验室光电转换效率已达到21%，但镉有剧毒并且碲资源稀缺，很难大范围推广使用。日前，科研工作者把目光投向了硒化锑这种新型的半导体材料。硒化锑具有低毒、廉价、原材料储量丰富等特点，其禁带宽度为1.0 eV ~1.2eV，属于直接带隙材料，对短波可见光的吸收系数较大（>10⁵cm^-1），只需要500nm薄膜就能够充分吸收入射太阳光，非常适合制作薄膜太阳能电池。不仅如此，硒化锑还是一种二元单相化合物，在制备和生产过程中可以避免复杂的组分和杂相等控制难题，其次，硒化锑的相对介电常数较大，对自由电子或空穴的俘获能力较低，这有效降低了缺陷所引起的载流子复合损失。尽管如此，目前文献报道硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率为3.7%，而理论上硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率可以达到30%以上，因而，硒化锑材料在薄膜太阳能电池应用领域还有巨大的发展潜力，人们急需寻找一种新型的、效率较高的硒化锑薄膜太阳能电池以推动太阳能电池领域的发展。

发明内容

为了进一步提高硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率，本发明提供了一种以黑磷烯作为导电材料的硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法，其特征在于，所述太阳能电池的结构从上至下依次为：金属正面电极、n型重掺杂黑磷烯薄膜、n型二硫化钼薄膜、本征氢化纳米晶硅薄膜、p型硒化锑薄膜、p型重掺杂黑磷烯衬底、金属背面电极。所述金属正面和背面电极为金属银电极或铝电极；所述氢化纳米晶硅薄膜是由嵌于氢化非晶硅的纳米晶体硅组成，其具有高电导率、高迁移率和低的光吸收系数等特点；所述二硫化钼为直接带隙半导体材料，其禁带宽度为1.2eV~1.8eV，并且其带隙宽度可以通过调控二硫化钼的厚度来实现连续性调节；所述黑磷烯具有高电导率、高透光率以及高漏电流调制率等特点，能够极大地减少太阳能电池的整体串联电阻；所述太阳能电池的制备过程包括以下步骤：首先在p型重掺杂黑磷烯衬底上利用肼溶液法或磁控溅射法或超声喷雾法沉积p型硒化锑薄膜，然后在p型硒化锑薄膜上利用等离子体增强化学气相沉积法或磁控溅射法制备本征氢化纳米晶硅薄膜，再在本征氢化纳米晶硅薄膜上利用化学气相沉积法或磁控溅射法沉积n型二硫化钼薄膜，接着在n型二硫化钼薄膜上利用化学气相沉积法或机械剥离法沉积n型重掺杂黑磷烯薄膜，最后在n型重掺杂黑磷烯薄膜表面以及p型重掺杂黑磷烯衬底上利用丝网印刷法或蒸镀法分别沉积金属正面和背面电极，即制得所需要的以黑磷烯作为导电材料的硒化锑薄膜太阳能电池。本发明的优点在于以直接带隙半导体材料二硫化钼作为缓冲层，通过调控二硫化钼的厚度以达到太阳能电池的最佳禁带宽度，以具有高吸光系数的硒化锑作为吸收层，利用本征氢化纳米晶硅钝化pn结界面，降低界面的缺陷态密度，同时利用黑磷烯作为导电材料，充分利用其高电导率，高透光率以及非常高的漏电流调制率等特点，减少太阳能电池的整体串联电阻，极大地增加了光电流，提高了硒化锑薄膜太阳能电池的光电转换效率。这种通过利用黑磷烯作为导电材料克服了传统导电材料的不足，为制备高效率的硒化锑薄膜太阳能电池提供了新思路。

附图说明：

附图是本发明提供的一种以黑磷烯作为导电材料的硒化锑薄膜太阳能电池的层结构示意图。

附图标号说明：

1—金属正面电极；

2—n型重掺杂黑磷烯薄膜；

3—n型二硫化钼薄膜；

4—本征氢化纳米晶硅薄膜；

5—p型硒化锑薄膜；

6—p型重掺杂黑磷烯衬底；

7—金属背面电极。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但本发明内容不仅限于实施例中涉及的内容。

本发明按附图所示结构，它包括从上至下依次分布的金属正面电极1、n型重掺杂黑磷烯薄膜2、n型二硫化钼薄膜3、本征氢化纳米晶硅薄膜4、p型硒化锑薄膜5、p型重掺杂黑磷烯衬底6、金属背面电极7。