[发明专利]一种直拉单晶硅快速收尾方法

权利要求书

1.一种直拉单晶硅快速收尾方法，其特征在于，利用单晶炉使用直拉法拉制单晶硅棒到收尾工序后，包括以下阶段：

收尾前期，坩埚停止上升，提高加热功率使热场温度升高，同时保持晶体生长速度、晶体旋转速度以及坩埚旋转速度不变，使晶体直径迅速缩小；

收尾中期，降低所述晶体生长速度，同时驱动所述坩埚上升，所述坩埚上升速度小于收尾中期的晶体生长速度，保持一段时间后降低加热功率、提高晶体旋转速度和坩埚旋转速度，使热场温度上升趋势减缓；

收尾后期，坩埚停止上升，晶体旋转速度和坩埚旋转速度保持不变，同时提高晶体生长速度，直至晶体直径缩小至25mm-30mm时，将晶体提出熔硅液面，完成收尾工序；

所述收尾前期中，加热功率提高12kW-15kW，所述晶体直径由215mm缩小至100mm-110mm。

2.如权利要求1所述的一种直拉单晶硅快速收尾方法，其特征在于，所述收尾中期中，所述晶体生长速度降至50mm/h，所述坩埚上升速度为5mm/h，保持8min-12min后；将加热功率降低3kW-5kW，所述坩埚旋转速度提高至10rpm，所述晶体旋转速度提高至12rpm，然后保持8min-12min。

3.如权利要求1所述的一种直拉单晶硅快速收尾方法，其特征在于，所述收尾后期中，所述坩埚停止上升后，晶体生长速度以10mm/min²的加速度快速提高。

4.如权利要求1-3任一项所述的一种直拉单晶硅快速收尾方法，其特征在于，在所述收尾工序之前的准备收尾阶段，所述加热功率为55kW-60kW，晶体生长速度为80mm/h，晶体旋转速度为10rpm，所述坩埚上升速度为8mm/h，所述坩埚旋转速度为9rpm。