[发明专利]发光二极管及制造该发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201610701610.3 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106129195B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡钟炫;张钟敏;卢元英;徐大雄;赵大成;李俊燮;李圭浩;印致贤 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/08;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电型半导体层 发光二极管 台面 反射电极 电流分散层 电流分散 欧姆接触 上部区域 电绝缘 活性层 开口部 制造 相隔 暴露 覆盖 | ||
【说明书】：
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