[发明专利]Y‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法

权利要求书

1.一种Y-Sb-Te相变材料，其特征在于，所述Y-Sb-Te相变材料为包括钇、锑及碲三种元素的化合物，所述Y-Sb-Te相变材料的化学式为Y_100-x-ySb_xTe_y，其中0<100-x-y<50，0.1≤x/y≤4。

2.根据权利要求1所述的Y-Sb-Te相变材料，其特征在于：所述Y-Sb-Te相变材料中，1.6≤x/y≤4。

3.根据权利要求1所述的Y-Sb-Te相变材料，其特征在于：所述Y-Sb-Te相变材料中，20≤x≤80,10≤y≤65。

4.根据权利要求1所述的Y-Sb-Te相变材料，其特征在于：所述Y-Sb-Te相变材料为Y-Sb-Te相变薄膜材料，所述Y-Sb-Te相变材料的厚度为1nm～300nm。

5.根据权利要求1所述的Y-Sb-Te相变材料，其特征在于：所述Y-Sb-Te相变材料在电信号操作下可以实现高低阻值的反复转换，且在没有电信号操作时维持阻值不变。

6.一种相变存储器单元，其特征在于，所述相变存储器单元包括如权利要求1至5中任一项所述的Y-Sb-Te相变材料。

7.一种如权利要求1至5中任一项所述的Y-Sb-Te相变材料的制备方法，其特征在于，根据化学通式Y_100-x-ySb_xTe_y中Y、Sb与Te的不同配比，采用磁控溅射法、脉冲激光沉积法或电子束蒸发法制备如权利要求1至5中任一项所述的Y-Sb-Te相变材料。

8.根据权利要求7所述的Y-Sb-Te相变材料的制备方法，其特征在于：采用Sb₂Te₃合金靶及Y单质靶两靶共溅射、或采用Sb₂Te₃合金靶、Sb单质靶及Y单质靶三靶共溅射、或采用Sb₂Te₃合金靶、Te单质靶及Y单质靶三靶共溅射、或采用Sb单质靶、Te单质靶及Y单质靶三靶共溅射的方式制备所述Y-Sb-Te相变材料。

9.根据权利要求8所述的Y-Sb-Te相变材料的制备方法，其特征在于：采用Sb₂Te₃合金靶及Y单质靶两靶共溅射的方式制备所述Y-Sb-Te相变材料时，所述Sb₂Te₃合金靶采用直流电源，所述Y单质靶采用射频电源，通过改变射频功率来调节Y的原子百分比，得到Y组分可调的Y_100-x-ySb_xTe_y系列相变材料；所述Sb₂Te₃合金靶采用的直流功率为10W～30W，所述Y单质靶采用的射频功率为10W～100W。

10.根据权利要求8所述的Y-Sb-Te相变材料的制备方法，其特征在于：采用Sb₂Te₃合金靶、Sb单质靶及Y单质靶三靶共溅射的方式制备所述Y-Sb-Te相变材料时，所述Sb₂Te₃合金靶及所述Sb单质靶采用直流电源，所述Y单质靶采用射频电源，通过改变射频功率来调节Y的原子百分比，通过改变所述Sb单质靶的直流功率来调节Sb、Te的组分比，得到Y组分可调的Y_100-x-ySb_xTe_y系列相变材料；所述Sb₂Te₃合金靶级所述Sb单质靶采用的直流功率为10W～30W，所述Y单质靶采用的射频功率为10W～100W。