[发明专利]一种P型埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201610704134.0 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106206711B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;陈欣;魏家行;杨翰琪;任晓飞;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 型埋层 algan gan 电子 迁移率 晶体管 | ||
【说明书】：
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