[发明专利]一种半导体封装结构及加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体封装结构，以及该半导体封装结构的加工方法。

背景技术

随着无线通信技术的发展，无线通信系统的复杂度迅速增加，多种移动通讯网络并存，例如现在广泛应用的2G、3G和4G移动通讯网络。另外，人们也希望移动终端功能增加的同时越来越薄或越来越小。因此，这些需求对移动终端内部集成电路的性能和集成度要求越来越高，工作速率和功耗也越来越大，对封装结构的要求也更高，尤其是对封装散热要求更加严苛。

为了实现集成电路芯片内焊垫与外部之间的电气连接，以及为集成电路芯片提供一个稳定可靠的工作环境，集成电路封装是必不可少的一个环节。集成电路封装质量的好坏，对集成电路总体的性能优劣关系很大。在现有技术中通常为将芯片整体进行封装的结构，该结构使得芯片完全被环氧树脂密封，由于环氧树脂的导热性能不佳，造成了芯片的散热能力难以保证，制约了半导体器件的发展。另外现有技术中的半导体器件的电极分别位于芯片的两侧，或位于不同的水平面上，在芯片与PCB进行组装的过程中需要设计相应结构的PCB以适应芯片的安装，上述情况会造成安装程序变得复杂，成本增加。

发明内容

本发明的一个目的在于：提供一种半导体封装结构，用于解决芯片封装散 热问题。

本发明的另一个目的在于：提供一种半导体封装结构，其可以解决芯片电极位于不同平面影响安装的问题。

本发明的再一个目的在于：提供一种芯片加工方法，用于加工上述芯片。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一方面，提供一种半导体封装结构，包括芯片，所述芯片具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面以及所述第二表面均设置有电极，所述第一表面与所述电极对应的位置覆盖有锡膏，其余位置覆盖有塑封材料，所述锡膏以及所述塑封材料的外表面形成封装表面，所述第二表面直接连接电连接件。

作为所述的半导体封装结构的一种优选的技术方案，所述第一表面上覆盖的所述塑封材料与所述锡膏的厚度相同。

作为所述的半导体封装结构的一种优选的技术方案，所述芯片通过导电结合材与所述电连接件固定连接。

作为所述的半导体封装结构的一种优选的技术方案，所述第一表面设置的电极为源极和栅极，所述第二表面设置的电极为漏极。

作为所述的半导体封装结构的一种优选的技术方案，所述电连接件为引线框架，所述引线框架包括与所述芯片连接的框架本体，以及于所述芯片一侧向所述芯片方向翻折的框架折边，所述框架折边具有与所述封装表面位于同一平面的折边端面，所述框架折边与所述芯片之间设置有绝缘材料。

作为所述的半导体封装结构的一种优选的技术方案，所述电连接件为PCB，所述PCB包括与所述芯片连接的PCB本体，以及于所述芯片一侧向所述芯片方向延伸的PCB凸台，所述PCB凸台具有与所述封装表面位于同一平面的凸台表 面。

作为所述的半导体封装结构的一种优选的技术方案，所述PCB中设置有用于导电的导电铜箔，所述导电铜箔由所述PCB本体延伸至所述PCB凸台，并外露于所述凸台表面。

作为所述的半导体封装结构的一种优选的技术方案，所述PCB具有与用于安装所述芯片的上表面以及与所述上表面相对的下表面，所述上表面与所述下表面之间设置有导热铜箔以及用于散热的散热通孔。

另一方面，提供一种如上所述的半导体封装结构的加工方法，对芯片进行单面树脂封装，并在封装面电极对应的位置印刷锡膏，使所述锡膏与封装树脂共同构成封装表面，非封装表面焊接于电连接件上。

作为所述的半导体封装结构及加工方法的优选技术方案，具体包括以下步骤：

步骤S1、电极加工，在晶圆第一表面制作源极以及栅极，与所述第一表面相对的第二表面制作漏极；

步骤S2、印刷锡膏，在所述源极以及所述栅极的位置印刷锡膏，并通过回流焊使锡膏融化粘附于晶圆表面；

步骤S3、树脂封装，采用树脂材料对所述第一表面进行表面封装，使所述树脂材料覆盖整个第一表面并覆盖所述锡膏；

步骤S4、研磨，对完成所述树脂封装的第一表面进行研磨，使所述锡膏露出；

步骤S5、切割，将所述晶圆进行切割，形成若干芯片

步骤S6、焊接，将所述芯片的所述第二表面焊接在所述电连接件上；

步骤S7、绝缘处理，对所述第二表面以外的所述芯片的其余表面与所述电 连接件之间进行绝缘处理。