[发明专利]纳米三氧化二铝低温等离子体改性处理方法

权利要求书

1.一种纳米三氧化二铝低温等离子体改性处理方法，该方法包括以下步骤：

（1）选择直接负载或者溶剂辅助负载的方式将待接枝单体负载在纳米三氧化二铝颗粒表面；其中，所述待接枝单体为甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸羟乙酯、乙烯吡咯烷酮或者它们的混合物；以及

（2）将表面负载了待接枝单体的纳米三氧化二铝颗粒进行低温等离子体处理，其中，处理功率为10W~150W，时间为0.1s~30分钟，温度为200-400℃，低温等离子体诱发纳米三氧化二铝颗粒表面的单体聚合，实现纳米三氧化二铝的表面改性。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤（1）中，所述直接负载是指在待接枝单体负载率大于10%的情况下，直接将纳米三氧化二铝与待接枝单体混合，从而实现单体在纳米颗粒表面的均匀负载；所述溶剂辅助负载是指在待接枝单体负载率小于10%的情况下，将待接枝单体分散到溶剂中，再与纳米三氧化二铝混合并去除掉溶剂，从而实现单体在纳米颗粒表面的均匀负载。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述溶剂辅助负载中的溶剂为水、甲醇、乙醇、丙酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、磷酸三乙酯、二甲基亚砜或者它们的混合液体。

4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述纳米三氧化二铝颗粒的粒径为10 nm~100 nm。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在直接负载的情况下，所述待接枝单体与纳米三氧化二铝颗粒的重量比为5:1至1:100。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在溶剂辅助负载的情况下，所述待接枝单体分散到溶剂中，单体重量与溶剂重量之比为1:10000至1:10。

7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，采用纯度为99.99%的氩气、氮气、氦气或者它们的组合气体产生等离子体氛围。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在直接负载的情况下，在直接将纳米三氧化二铝与待接枝单体混合后，充分研磨以实现单体在纳米颗粒表面的均匀负载。

9.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在溶剂辅助负载的情况下，通过离心分离和烘干的方式去除掉溶剂。