[发明专利]磁场感测装置有效

专利信息
申请号: 201610711916.7 申请日: 2016-08-24
公开(公告)号: CN106597326B 公开(公告)日: 2020-01-07
发明(设计)人: 袁辅德;郑振宗;赖孟煌 申请(专利权)人: 爱盛科技股份有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/02;G01R33/00
代理公司: 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾新北市汐止*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 磁场 装置
【权利要求书】:

1.一种磁场感测装置,其特征在于,包括:

磁通集中器,具有顶面、相对于所述顶面的底面及多个连接所述顶面与所述底面的侧面;以及

多个磁电阻单元,分别配置于所述多个侧面旁,其中所述多个磁电阻单元在三个不同时间电性连接成至少一种惠斯登全桥,以分别量测三个不同方向的磁场分量,并使所述至少一种惠斯登全桥输出分别对应于所述三个不同方向的磁场分量的三个信号,

其中,在所述三个不同时间的任一个中,所述多个磁电阻单元电性连接成的惠斯登全桥的数量为一个,其中每个侧面旁至少配置所述多个磁电阻单元的其中之一。

2.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,在所述三个不同时间的任一个时,所述至少一种惠斯登全桥所输出的信号为对应于所述三个不同方向中的一个方向的磁场分量的差分信号,此时所述至少一种惠斯登全桥所产生的对应于所述三个不同方向中的其余两个方向的磁场分量的差分信号皆为零。

3.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,还包括切换电路,电性连接所述多个磁电阻单元,其中所述至少一种惠斯登全桥为三种惠斯登全桥,所述切换电路在所述三个不同时间分别将所述多个磁电阻单元电性连接成所述三种惠斯登全桥,所述三种惠斯登全桥分别量测所述三个不同方向的磁场分量,并分别输出对应于所述三个不同方向的磁场分量的所述三个信号。

4.根据权利要求3所述的磁场感测装置,其特征在于,还包括基板,其中所述磁通集中器与所述多个磁电阻单元配置于所述基板上,且所述切换电路设于所述基板中。

5.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,还包括多个磁化方向设定元件,分别配置于所述多个磁电阻单元旁,以分别设定所述多个磁电阻单元的磁化方向,其中所述至少一种惠斯登全桥为一种惠斯登全桥,所述多个磁化方向设定元件在所述三个不同时间分别将所述多个磁电阻单元的磁化方向设定成三种不同的组合,以使所述一种惠斯登全桥在所述三个不同时间分别量测所述三个不同方向的磁场分量,并分别输出对应于所述三个不同方向的磁场分量的所述三个信号。

6.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,所述多个磁电阻单元的每一个包括至少一异向性磁电阻。

7.根据权利要求6所述的磁场感测装置,其特征在于,所述多个磁电阻单元的每一个中的异向性磁电阻的延伸方向平行于对应的侧面,且平行于所述顶面与所述底面。

8.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其中所述多个侧面为四个侧面,相邻的二个侧面的法线彼此垂直,所述三个不同方向为第一方向、第二方向及第三方向,所述第一方向与所述第二方向落在与所述四个侧面的多个法线平行的平面上,且与所述多个法线夹45度角,所述第一方向与所述第二方向彼此垂直,且所述第三方向垂直于所述第一方向与所述第二方向。

9.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,所述磁通集中器的材料包括导磁率大于10的铁磁材料。

10.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,所述磁通集中器的残磁小于其饱和磁化量的10%。

11.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,所述底面的二个对角线分别平行于所述三个不同方向的其中二个,且所述三个不同方向的剩余一个垂直于所述底面。

12.根据权利要求1所述的磁场感测装置,其特征在于,还包括基板,其中所述磁通集中器与所述多个磁电阻单元配置于所述基板上,且所述基板为半导体基板、玻璃基板或电路基板。

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