[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201610712208.5 | 申请日: | 2016-08-23 |
公开(公告)号: | CN106784343B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 朴银贞 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
在基板上的阳极;
在所述阳极上的第一发光部,所述第一发光部包括第一发光层和第一电子传输层;
在所述第一发光部上的第二发光部,所述第二发光部包括第二发光层和第二电子传输层;
在所述第二发光部上的阴极;和
在所述第一发光部与所述第二发光部之间的N型电荷生成层,
其中所述第一电子传输层和所述第二电子传输层中的至少一个包括第一材料和第二材料,并且所述第一材料的LUMO能级的绝对值大于所述第二材料的LUMO能级的绝对值,并且
其中所述第一电子传输层包括一材料,所述材料具有比所述N型电荷生成层中包括的基质的能带隙高0.50eV到1.00eV的能带隙。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第二材料的含量高于所述第一材料的含量。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中在所述第一电子传输层或所述第二电子传输层中,所述第二材料的含量大于50wt%。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一材料和所述第二材料通过共沉积而混合。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一材料的LUMO能级的绝对值在2.91eV到3.40eV的范围内,并且所述第二材料的LUMO能级的绝对值在2.60eV到2.90eV的范围内。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一电子传输层包括所述第一材料和所述第二材料之一,并且所述第二电子传输层包括所述第一材料和所述第二材料。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,进一步包括:
在所述第一电子传输层上的第二空穴传输层;和
在所述第二空穴传输层与所述第二发光层之间的第二发光控制层。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其中所述第二发光控制层的HOMO能级的绝对值比所述第二空穴传输层的HOMO能级的绝对值大0.10eV到0.50eV。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其中所述第二发光控制层的空穴迁移率是所述第二空穴传输层的空穴迁移率的1.0×10-1到1.0×10-2倍。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一电子传输层和所述第二电子传输层每一个都包括所述第一材料和所述第二材料。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,进一步包括:
在所述阳极上的第一空穴传输层;和
在所述第一空穴传输层与所述第一发光层之间的第一发光控制层。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置,其中所述第一发光控制层的HOMO能级的绝对值比所述第一空穴传输层的HOMO能级的绝对值大0.10eV到0.50eV。
13.根据权利要求11所述的有机发光显示装置,其中所述第一发光控制层的空穴迁移率是所述第一空穴传输层的空穴迁移率的1.0×10-1到1.0×10-2倍。
14.根据权利要求10所述的有机发光显示装置,进一步包括:
在所述第一电子传输层上的第二空穴传输层;和
在所述第二空穴传输层与所述第二发光层之间的第二发光控制层。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置,其中所述第二发光控制层的HOMO能级的绝对值比所述第二空穴传输层的HOMO能级的绝对值大0.10eV到0.50eV。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610712208.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种孔形水冷电极引出系统负氢离子源的装置
- 下一篇:一种透射EBSD夹具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择