[发明专利]使用硅原料的成膜装置

权利要求书

1.一种成膜装置，其在成为试样的基材上形成薄膜层，所述成膜装置的特征在于：

具有反应室，所述反应室具备：载置所述试样的试样保持机构以及包含排气系统配管的排气机构，

所述反应室包括：原料供给部件，在所载置的所述试样的附近将成为所述薄膜层的原料的硅原料与氧化性气体混合；

能量供给部件，对所供给的所述硅原料与所述氧化性气体施加能量，利用所述氧化性气体使所述硅原料氧化而形成薄膜层；以及

未反应的原料回收部件，使未供给至所述氧化的未反应的原料在所述排气机构中分解或者吸附于分解物上；并且

所述硅原料为含有硅、氧及碳的至少一种有机化合物，

在能量供给工序中，以在将所述硅原料1分子化学计量性地完全氧化的情况下所生成的全氧化物的合计分子数A与所述硅原料中所含的硅的原子数B满足(A-B)/B≤6.75的关系的方式，调整所述硅原料以及所述氧化性气体的至少任一个的供给量。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：所述未反应的原料回收部件是将废气冷却而吸附未反应的原料的冷阱。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于：对较所述冷阱更位于反应室侧的所述排气系统配管的至少一部分进行加热。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：所述未反应的原料回收部件是利用等离子体，将所述未反应的原料分解的等离子体式净化装置。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：具备过滤器，所述过滤器对因所述未反应的原料回收部件中的所述未反应的原料的分解或者在分解物上的吸附而生成的粉尘进行捕集。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：所述排气机构为真空排气机构。

7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于：所述真空排气机构具备油再循环器，所述油再循环器使旋转泵的真空油循环而去除固体成分。

8.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：所述能量供给工序为等离子体增强化学气相沉积法。

9.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：所述能量供给工序为化学气相沉积法。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的成膜装置，其特征在于：所述能量供给工序为光化学气相沉积法。

11.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：所述能量供给部件中的能量并用选自由等离子体、热及光所组成的群组中的至少两种能量。

12.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：所述硅原料包含具有环状结构的化合物。

13.根据权利要求12所述的成膜装置，其特征在于：所述具有环状结构的化合物为环状硅氧烷化合物以及环状硅氮烷化合物的至少任一个。

14.根据权利要求13所述的成膜装置，其特征在于：所述环状硅氧烷化合物为选自由八甲基环四硅氧烷、四甲基环四硅氧烷以及六甲基环三硅氧烷所组成的群组中的至少一种化合物。

15.根据权利要求13所述的成膜装置，其特征在于：所述环状硅氮烷化合物为2，2，4，4，6，6-六甲基环三硅氮烷。

16.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：所述硅原料包含单甲基硅烷以及二甲基硅烷的至少任一个。

17.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：形成所述薄膜层的反应仅为所述硅原料的利用所述氧化性气体的氧化反应。

18.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：形成所述薄膜层的反应进而在稀有气体的存在下进行。

19.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于：具备控制机构，其在形成所述薄膜层的反应中，用以使所述氧化性气体的供给量不会超过为了使所述硅原料化学计量性地完全氧化而必需的量。