[发明专利]半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

第一半导体晶粒，具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面；

第一模塑料，围绕该第一半导体晶粒；

第一重分布层结构，设置在该第一半导体晶粒的该第二表面上并且在该第一模塑料上横向延伸；

第二半导体晶粒，设置在该第一重分布层结构上并且具有第三表面与相对于该第三表面的第四表面，其中该第一重分布层结构位于该第一半导体晶粒与该第二半导体晶粒之间；

第二模塑料，围绕该第二半导体晶粒；

第二重分布层结构，设置在该第二半导体晶粒的该第四表面上并且在该第二模塑料上横向延伸；

第一保护层，覆盖该第一重分布层结构的侧壁和该第一模塑料的侧壁；以及

底部保护层，设置在该第一半导体晶粒的该第一表面上，

其中，该第一保护层沿着该第一重分布层结构的侧壁和该第一模塑料的侧壁共平面地延伸至该底部保护层。

2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一保护层为该第二模塑料的延伸部。

3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，该第二重分布层的侧壁与该第一重分布层的侧壁未垂直对齐。

4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：

第三半导体晶粒，设置在该第二重分布层结构上并且具有第五表面与相对于该第五表面的第六表面；以及

第三模塑料，围绕该第三半导体晶粒。

5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一保护层为该第三模塑料的延伸部，并且该第三模塑料的该延伸部还覆盖该第二重分布层结构的侧壁和该第二模塑料的侧壁。

6.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，该半导体封装结构还包括第二保护层，该第二保护层覆盖该第二重分布层结构的侧壁、该第二模塑料的侧壁以及该第一保护层的侧壁。

7.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，该半导体封装结构还包括第二保护层，该第二保护层设置在该第二模塑料上并且覆盖该第二重分布层结构的侧壁。

8.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：第三重分布层结构，设置在该第三半导体晶粒的该第六表面上并且在该第三模塑料上横向延伸。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，该第三重分布层的侧壁与该第一重分布层的侧壁及该第二重分布层结构的侧壁未垂直对齐。

10.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，进一步包括：

多个导电结构，设置在该第三重分布层结构上并且电性耦接至该第三重分布层结构；以及

多个通孔，穿过该第三模塑料并且电性耦接在该第二重分布层结构与该第三重分布层结构之间。

11.如权利要求6或7所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一保护层为该第二模塑料的延伸部，且该第二保护层为该第三模塑料的延伸部。

12.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，该第一模塑料也设置在该底部保护层上；

其中，该第二模塑料延伸至与该底部保护层接触，该第三模塑料延伸至与该底部保护层接触。