[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201610719763.0 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106653823A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 卢卉庭;钟于彰;王培伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一阱区，配置为所述半导体器件的阳极；
第一掺杂区域，配置为所述半导体器件的阴极；
第二掺杂区域，配置为所述半导体器件的另一阴极；以及
导电区域，
其中，所述第一阱区设置在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间，并且所述第一阱区配置为电连接所述导电区域。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阱区设置在第一区域中，并且所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域设置在第二区域中，所述第一区域由所述第二区域围绕。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阱区设置在所述第一区域的中心面积处。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电区域与所述第一阱区相连。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括阱，其中，所述阱和所述第一阱区配置为当所述半导体器件是正向偏置的时产生电流。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
衬底；
隔离结构；以及
第三掺杂区域，配置为电连接所述衬底并且通过所述隔离结构与所述第一掺杂区域隔离。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
衬底；
所述衬底中的阱，所述阱配置为当所述半导体器件是正向偏置的时产生电流；以及
第三掺杂区域，配置为电连接所述衬底，
其中，寄生双极结型晶体管由所述阱、所述第三掺杂区域和所述第一阱区限定。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电区域是第一导电区域，并且所述半导体器件还包括：
位于所述第一导电区域下方的第二导电区域，其中，所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域配置为电连接所述第二导电区域。
9.一种半导体器件，包括：
第一阱区，配置为所述半导体器件的阳极；
第一掺杂区域，配置为所述半导体器件的阴极；以及
导电区域，设置在所述第一阱区下方并且与所述第一阱区相连，所述导电区域配置为当所述半导体器件是正向偏置的时产生电流。
10.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供衬底；
在所述衬底中形成导电区域；
在所述衬底中形成阱；
在所述阱中形成第一阱区以用作所述半导体器件的阳极，所述第一阱区配置为电连接所述导电区域；以及
形成第一掺杂区域和第二掺杂区域以用作所述半导体器件的阴极，所述第一阱区设置在所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间。
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