[发明专利]一种晶体硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，

该太阳能电池正面由晶体硅衬底至表面依次包括：晶体硅发射结、含第一硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属正电极；

该太阳能电池反面由晶体硅衬底至表面依次包括：晶体硅背场、含第二硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构、透明导电薄膜以及金属背电极；

设定含第一硅量子点的硅化物层为B，硅化物层为A，其中，A与透明导电薄膜邻接，所述含第一硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构含有至少两个B，或者B与透明导电薄膜邻接，所述含第一硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构含有至少两个B；

设定含第二硅量子点的硅化物层为C，硅化物层为A，其中，A与透明导电薄膜邻接，所述含第二硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构含有至少两个C，或者C与透明导电薄膜邻接，所述含第二硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构含有至少两个C；

由晶体硅衬底至表面，B的层厚度逐渐减小，C的层厚度逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述晶体硅衬底为N型晶体硅衬底或者P型晶体硅衬底。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述晶体硅衬底为N型晶体硅衬底。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，与所述晶体硅发射结邻接的是含第一硅量子点的硅化物层，与所述晶体硅背场邻接的是含第二硅量子点的硅化物层。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，A的层厚度逐渐减小。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，

所述晶体硅发射结为P型晶体硅发射结；

所述第一硅量子点为P型硅量子点。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述P型晶体硅发射结的厚度为50-500nm。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述P型晶体硅发射结的厚度为100-200nm。

9.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述P型晶体硅发射结的掺杂材料为硼，所述硼掺杂浓度为10¹⁷-10²⁰cm^-3。

10.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，含P型硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构中，最厚的含P型硅量子点的硅化物层的层厚度为8-10nm，最薄的含P型硅量子点的硅化物层的层厚度为1-3nm。

11.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，含P型硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构中，P型硅量子点的直径由内层至外层依次减小，P型硅量子点的最大直径为6-8nm，P型硅量子点的最小直径为1-2nm。

12.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，含P型硅量子点的硅化物层与硅化物层形成的交替结构中，所述P型硅量子点的硼掺杂浓度由内层至外层依次增大。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其中，所述P型硅量子点的最大硼掺杂浓度为0.35-0.45at％，P型硅量子点的最小硼掺杂浓度为0.1-0.2at％。

14.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，

所述晶体硅背场为N型晶体硅背场；

所述第二硅量子点为N型硅量子点。

15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中，所述N型晶体硅背场的厚度为50-200nm。