[发明专利]影像感测器

说明书

技术领域

本发明实施例是有关一种影像感测器，且特别是提供一种影像感测器及其制作方法。

背景技术

许多现今的电子元件包含影像感测器，其中影像感测器可将光学影像转换为用以代表光学影像的数字数据。一般用于电子元件中的影像感测器的一种型式是背面照射(Backside Illumination；BSI)影像感测器。背面照射影像感测器包含光侦测器的阵列，其中光侦测器的阵列是位于内连接结构上，且其是配置于相对侧，以做为内连接结构，并用以接收辐射线。此种配置允许辐射线可照射于光侦测器上，且辐射线不会被内连接结构中的传导特征阻挡，故背面照射影像感测器对于入射辐射线具有高感光度。

发明内容

一实施例为一种影像感测器。此影像感测器包含像素感测器、内连接结构和反射器。像素感测器是配置于半导体基材的底侧上，且像素感测器包含光侦测器，且此光侦测器配置于半导体基材内。内连接结构是配置于半导体基材和像素感测器下。其中，内连接结构包含内连接层与接触窗，且接触窗由内连接层延伸至像素感测器。前述的反射器是配置于光侦测器下，且介于内连接层和光侦测器之间。反射器是配置以朝光侦测器反射入射辐射线。

另一实施例为一种制作影像感测器的方法。此方法是先形成第一层间介电(Interlayer Dielectric；ILD)层，以覆盖半导体基材和像素感测器，其中像素感测器是配置于半导体基材上。然后，对第一ILD层进行蚀刻，以形成反射区域于像素感测器的光侦测器上，其中像素感测器的光侦测器是配置于半导体基材中。接着，形成反射器于光侦测器上，且此反射器形成于反射区域中。之后，形成第二ILD层，以覆盖反射器。而后，形成内连接层于第一ILD层和第二ILD层上，且此内连接层电性耦合接触窗。其中，接触窗是由内连接层延伸至像素感测器。

又一实施例为一种影像感测器。此影像感测器包含内连接结构、光侦测器和反射器。内连接结构是配置于半导体基材下，且此内连接结构包含堆叠于ILD区域内的传导特征的层。光侦测器是配置于半导体基材内。前述的反射器是配置于光侦测器下，且介于内连接结构和光侦测器之间。其中，反射器是配置以朝光侦测器反射入射辐射线。

附图说明

从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本发明实施例的实施方式有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸可任意地增加或减少。

图1是绘示具有反射器的背面照射(Backside Illuminated；BSI)影像感测器的一些实施例的剖视图；

图2A至图2D是绘示图1的反射器的各种实施例的剖视图；

图3是绘示图1的BSI影像感测器的一些更详尽的实施例的剖视图；

图4是绘示图1的BSI影像感测器中的像素感测器的一些实施例的电路图；

图5是绘示图1的BSI影像感测器的一些实施例的上视图；

图6至图9、图10A至图10D、图11A、图11B、图12至图16、图17A至图17D、图18A、图18B和图19至图27是绘示制造具有反射器的BSI影像感测器的方法的各种实施例的一系列剖视图；

图28与图29是绘示制造具有反射器的BSI影像感测器的方法的各种实施例的流程图。

具体实施方式

以下的揭露提供了许多不同的实施例或例子，以实施发明的不同特征。以下所描述的构件与安排的特定例子是用以简化本发明实施例。当然这些仅为例子，并非用以做为限制。举例而言，在描述中，第一特征形成于第二特征上方或上，可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施例，而也可能包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施例，如此第一特征与第二特征可能不会直接接触。此外，本发明实施例可能会在各例子中重复参考数字及/或文字。这样的重复是基于简单与清楚的目的，以其本身而言并非用以指定所讨论的各实施例及/或配置之间的关系。

另外，在此可能会使用空间相对用语，例如“向下(beneath)”、“下方(below)”、“较低(lower)”、“上方(above)”、“较高(upper)”等等，以方便描述来说明如附图所绘示的一元件或一特征与另一(另一些)元件或特征的关系。除了在图中所绘示的方向外，这些空间相对用词意欲含括元件在使用或操作中的不同方位。设备可能以不同方式定位(旋转90度或在其他方位上)，因此可利用同样的方式来解释在此所使用的空间相对描述符号。