[发明专利]电容性传感器以及制作电容性传感器的方法有效
申请号: | 201610729802.5 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN106650564B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | S.温 | 申请(专利权)人: | 辛纳普蒂克斯公司 |
主分类号: | G06K9/00 | 分类号: | G06K9/00;G06K9/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王星;刘春元 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 传感器 以及 制作 方法 | ||
1.一种电容性传感器,包括:
多个传感器电极行,包括在第一层中;
多个传感器电极列,包括在第二层中,其中所述多个传感器电极列与所述多个传感器电极行正交排列以形成二维感测阵列;以及
多个导电元件,包括在第三层中,所述第三层布置于所述第一层与所述第二层之间,其中,对于所述多个导电元件的每个导电元件,所述导电元件的第一端电连接至所述多个传感器电极行中的一传感器电极,而所述导电元件的第二端电容性地耦合至所述多个传感器电极列中的一传感器电极,以形成所述二维感测阵列的一跨电容性感测像素。
2.如权利要求1所述的电容性传感器,进一步包括一覆盖层,其中所述第二层比所述第一层更接近所述覆盖层。
3.如权利要求1所述的电容性传感器,其中所述多个传感器电极行包括接收器电极而所述多个传感器电极列包括发射器电极。
4.如权利要求1所述的电容性传感器,其中所述多个传感器电极列包括接收器电极而所述多个传感器电极行包括发射器电极。
5.如权利要求1所述的电容性传感器,其中所述多个导电元件中的每个导电元件包括一通过所述第三层的厚度延伸的通孔。
6.如权利要求1所述的电容性传感器,进一步包括:
包括在所述第二层中的多个板,其中所述板的每个电连接至所述多个导电元件中的一导电元件且电容性地耦合至所述多个传感器电极列中的一传感器电极。
7.如权利要求6所述的电容性传感器,其中:
所述板的每个包括一金属垫,所述金属垫电连接至所述多个导电元件中的单个导电元件;或者
所述板的每个包括一金属迹线,所述金属迹线电连接至所述多个导电元件中的若干导电元件。
8.如权利要求1所述的电容性传感器,其中所述二维感测阵列具有配置成捕获指纹特征的分辨率。
9.一种制作电容性传感器的方法,所述方法包括:
在第一绝缘层上形成第一导电层,其中所述第一导电层包括多个传感器电极行;
在所述第一导电层上方形成第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上方形成第二导电层,其中所述第二导电层包括多个传感器电极列,并且所述多个传感器电极列与所述多个传感器电极行正交排列以形成二维感测阵列;且
在所述第一导电层和所述第二导电层之间的所述第二绝缘层中形成多个导电通孔,其中,对于所述多个导电通孔中的每个导电通孔,所述导电通孔的第一端电连接至所述多个传感器电极行中的一传感器电极,而所述导电通孔的第二端电容性地耦合至所述多个传感器电极列中的一传感器电极,以形成所述二维感测阵列的一跨电容性感测像素。
10.如权利要求9所述的方法,其中形成所述多个导电通孔包括在所述二维阵列中每个跨电容性感测像素处向所述第一导电层中的一传感器电极钻一直通孔,以及在所述二维阵列中每个跨电容性感测像素处电镀所述直通孔。
11.如权利要求9所述的方法,其中形成所述多个导电通孔包括在所述二维阵列中每个跨电容性感测像素处从所述第一导电层中的一传感器电极建立一通孔,并且其中形成所述第二绝缘层包括在所述二维阵列中每个跨电容性感测像素处将绝缘体填充在所述导电通孔之间。
12.如权利要求9所述的方法,其中所述第二导电层进一步包括多个板,其中所述板的每个电连接至一导电通孔且电容性地耦合至所述多个传感器电极列中的一传感器电极。
13.如权利要求9所述的方法,进一步包括:
在所述第二导电层和所述多个导电通孔上方形成一覆盖层,其中放置在所述覆盖层上或在所述覆盖层附近的输入对象改变所述多个传感器电极列附近的电场。
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