[发明专利]一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法。

背景技术

培养石斛组培苗较为麻烦，成本高，尽管对石斛试管苗移栽的苗龄、移栽时间、移栽条件有过研究，但试管苗出瓶移栽成活率仍然较低且生长缓慢。同时组培苗的移栽成活率是组培生产种苗成功与否的重要指标。

发明内容

本发明的目的是为了克服以上的不足，提供一种促进移栽的石斛快速生长，解决试管苗移栽成活率低和生长缓慢的提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法。

本发明的目的通过以下技术方案来实现，一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法依次包括以下步骤，

1）配制移栽定植基质，选用蕨根、木糠、树皮、刨花、椰壳、木炭、鱼骨作为移栽定植基质，蕨根、木糠、树皮、刨花、椰壳、木炭、鱼骨配比为:1：4：2：3：1：2：1，将上述原料混合加入适量石灰石进行2-3个月的腐熟；

2）将栽培土深翻 20cm ～ 30cm，曝晒2-3天，再在表面撒上石灰石；

3）将配制好的腐熟后的移栽定植基质覆盖在翻晒过的土壤上，移栽定植基质的铺盖厚度为10-20cm；

4）搭棚，大棚包括：棚架、内外双层遮阳网、塑料薄膜、苗床、浇水等设施，外遮阳网可为固定式，遮光度70%左右，内遮阳网为活动式，遮光度50%左右可人工收放遮阳网棚高3米左右，棚宽4～6米左右，棚长度根据场地条件灵活确定，长度不超过30米，棚四周要建排水沟；

5）选择无病、健壮、大小均匀的苗进行移栽，移栽前将移栽苗用清水反复洗根两到三次，再用 GA3、6- BA、NAA 和 PP333 的混合液浸根 2h；

6）将处理好的移栽苗按每丛3--5株，株距10厘米、行距13厘米的规格种植于基质上，以移栽苗根部完全覆盖为宜；

7）配置N∶ P∶ K = 15∶ 30∶ 15 的完全营养液并加入腐殖酸，移栽后一个月，每周喷施 1 ～ 2 次完全营养液。

本发明的进一步改进在于：移栽定植于每年 3 ～ 5 月进行。

本发明的进一步改进在于：移栽定植基质中的树皮可替换为椰子壳。

本发明与现有技术相比具有以下优点：

定植基质适合石斛的生长，基部的叶子不容易腐烂、不容易引起病害，对新根、新芽的生长有利，不仅能为移栽试管苗提供有效养分，而且能有效预防试管苗移栽后根部的病虫害，提高移栽成活率 ；移栽后多次喷施处理，一方面能保证石斛移栽苗生长所需养分，而且能对石斛移栽苗的茎、叶病虫害进行有效防治；促进了石斛栽培苗的快速生长，且提高了石斛栽培苗的质量。

具体实施方式：

为了加深对本发明的理解，下面将结合实例对本发明作进一步详述，该实施例仅用于解释本发明，并不构成对本发明保护范围的限定。

实施例1：一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法依次包括以下步骤，

1）配制移栽定植基质，选用蕨根、木糠、树皮、刨花、椰壳、木炭、鱼骨作为移栽定植基质，蕨根、木糠、树皮、刨花、椰壳、木炭、鱼骨配比为:1：4：2：3：1：2：1，将上述原料混合加入适量石灰石进行2-3个月的腐熟；

2）将栽培土深翻 20cm ～ 30cm，曝晒2-3天，再在表面撒上石灰石；

3）将配制好的腐熟后的移栽定植基质覆盖在翻晒过的土壤上，移栽定植基质的铺盖厚度为10-20cm；

4）搭棚，大棚包括：棚架、内外双层遮阳网、塑料薄膜、苗床、浇水等设施，外遮阳网可为固定式，遮光度70%左右，内遮阳网为活动式，遮光度50%左右可人工收放遮阳网棚高3米左右，棚宽4～6米左右，棚长度根据场地条件灵活确定，长度不超过30米，棚四周要建排水沟；

5）3 ～ 5 月间，选择无病、健壮、大小均匀的苗进行移栽，移栽前将移栽苗用清水反复洗根两到三次，再用 GA3、6- BA、NAA 和 PP333 的混合液浸根 2h；

6）将处理好的移栽苗按每丛3--5株，株距10厘米、行距13厘米的规格种植于基质上，以移栽苗根部完全覆盖为宜；

7）配置N∶ P∶ K = 15∶ 30∶ 15 的完全营养液并加入腐殖酸，移栽后一个月，每周喷施 1 ～ 2 次完全营养液。

本发明的进一步改进在于：移栽定植基质中的树皮可替换为椰子壳。

以上所述仅为说明本发明的实施方式，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。