[发明专利]一种抗PID太阳能电池返工片的处理方法

权利要求书

1.一种抗PID太阳能电池返工片的处理方法，其特征在于，包括将返工片去膜清洗、在线式钝化炉钝化、镀膜、丝网印刷和烧结的步骤，所述去膜清洗包括将返工片进行酸洗、水洗、风干的步骤；

所述在线式钝化炉钝化的过程为臭氧氧化工艺；

所述臭氧氧化工艺为：利用格瑞特在线式钝化炉，把氧气通入到臭氧发生器中产生臭氧，其中O₂流量≥5L/min，O₂通入压强≥0.1MPa，臭氧浓度≥800ppm，将太阳能电池返工片置于臭氧氛围中氧化，得到带有二氧化硅层的太阳能电池返工片；

所述镀膜过程为：将带有二氧化硅层的太阳能电池返工片利用管式PECVD沉积一层氮化硅薄膜，具体工艺参数为：沉积压力为1600～1700mtorr，氨气流量为5000～8000sccm，硅烷流量为800～1150sccm，射频功率为5500～7500w，沉积温度为450～500℃；

所述在线式钝化炉钝化处理与所述镀膜处理之间间隔时间控制在2h以内。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述去膜清洗的具体过程为：

1)将太阳能电池返工片置于氢氟酸溶液中进行酸洗，以去除表面受损的二氧化硅薄膜；

2)将酸洗后的太阳能电池返工片用去离子水喷淋进行水洗，以去除步骤1)酸洗后的酸残留；

3)将经水洗后的太阳能电池返工片用热风吹干。

3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，步骤1)中，所述氢氟酸的浓度为8～12％，所述酸洗的温度为22～28℃，所述酸洗的时间为40～80s。

4.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，步骤2)中，所述水洗的时间为10～15s，所述水洗的温度为22～28℃，所述水洗的次数为1次。

5.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述丝网印刷过程为：将镀膜后的太阳能电池返工片首先进行背银印刷/烘干，所述烘干温度为150～300℃；然后进行背场印刷/烘干，所述烘干温度为260～360℃；最后进行正栅印刷。

6.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述烧结过程为：将丝网印刷后的太阳能电池返工片使用烧结炉进行烧结，烘干区温度设置如下：一区温度为270～370℃，二区温度为290～390℃，三区温度为310～410℃，四区温度为330～430℃，CAD流量为50L/min；烧结区温度如下：一区温度为460～560℃，二区温度为490～590℃，三区温度为530～630℃，四区温度为610～710℃，五区温度为680～780℃，六区温度为880～980℃。