[发明专利]一种测序反应小室制备方法在审

专利信息
申请号: 201610739622.5 申请日: 2016-08-26
公开(公告)号: CN107779386A 公开(公告)日: 2018-03-09
发明(设计)人: 盛司潼;祝捷 申请(专利权)人: 广州康昕瑞基因健康科技有限公司
主分类号: C12M1/00 分类号: C12M1/00;C12M1/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510000 广东省广州市萝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 反应 小室 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及基因测序设备制造领域,更具体地说,涉及一种测序反应小室制备方法。

背景技术

在基因测序领域,测序反应一般通过磁珠在测序反应小室上进行。在测序反应小室设计时,一般采用多片式结构,使试剂从测序反应小室的反应通道中流过,并通过反应通道的一个硅烷化表面固定磁珠,进而完成基因测序反应。而在测序反应小室的制备的过程中,当进行等离子化步骤时,已被硅烷化的表面容易被破坏。

因此,需要一种新的制备测序反应小室的方法,避免在等离子化过程中破坏硅烷化表面。

发明内容

本发明的目的在于提供一种测序反应小室制备方法,旨在解决测序反应小室的制备过程中,在进行等离子化步骤时,测序反应小室的硅烷化表面容易被破坏的问题。

为了实现发明目的,本发明提供一种测序反应小室制备方法,包括以下步骤:

遮掩步骤,第一基片包括第一表面,第二基片包括朝向第一表面的第二表面,第二表面开设凹槽,将第二基片凹槽底面或第一表面对应凹槽开口范围的区域定义为目标区域,用物理方法对目标区域进行遮掩;

第一等离子化步骤,对第一基片的第一表面未遮掩的区域进行等离子化处理,将第一表面改性为亲水表面;

第二等离子化步骤,对第二基片的第二表面未遮掩的区域进行等离子化处理,将第二表面改性为亲水表面;

键合步骤,移除遮掩,将第一基片的第一表面和第二基片的第二表面接触键合,得键合产物;

硅烷化步骤,对键合产物中的目标区域的相对表面进行硅烷化,得测序反应小室。

其中,所述遮掩步骤使用遮掩装置进行遮掩。

进一步的,所述遮掩装置包括压紧装置、压块和工作台。

进一步的,所述压紧装置包括移动块。

进一步的,所述压块设于移动块的下方,所述压块下部为弹性压头。

进一步的,所述工作台位于压块下方,所述工作台上设有基片放置位。

进一步的,所述弹性压头用于遮掩置于基片放置位上的基片的目标区域。

进一步的,所述压紧装置还包括导柱和配重块。

进一步的,所述导柱固设在工作台上;所述移动块滑动套设在导柱上。

进一步的,所述配重块可拆卸地安装在移动块上。

进一步的,所述移动块设有配重块放置位,所述配重块可拆卸的安装在配重块放置位上。

进一步的,所述压块可拆卸固定在移动块上。

进一步的,所述压块包括左压块、右压块和夹在左压块和右压块之间的弹性压头;所述左压块固定在移动块下部;所述右压块可拆卸的固定在左压块上。

进一步的,所述弹性压头为橡胶薄膜或封口膜。

进一步的,所述左压块或右压块包括方条状的承压部和板状的固定部。所述基片放置位包括基片限位台阶。

进一步的,所述键合步骤具体为:通过贴合,将第一基片的第一表面与第二基片的第二表面接触,进而形成共价结合力紧密连接。

其中,所述第一基片为上基片,第二基片为下基片。

其中,所述第一基片为下基片,第二基片为上基片。

进一步的,所述等离子化处理具体为将第一基片或第二基片置于混合有氧气和惰性气体的容器后经紫外灯照射或将第一基片或第二基片置于混合有氧气和氮气的容器后经紫外灯照射。

进一步的,所述惰性气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气或氡气。

进一步的,所述硅烷化产物具有一反应通道,所述硅烷化具体为将硅烷化试剂通入反应通道,使键合产物中目标区域的相对表面浸泡在硅烷化试剂中进行反应。

进一步的,所述第二基片的材质为PDMS。

进一步的,所述上基片的材质为玻璃薄片。

进一步的,在所述遮掩步骤前还包括清洗步骤,所述清洗步骤包括采用异丙醇对第一基片或第二基片进行清洗。

由上可知,本发明通过对目标区域的遮掩,实现了在等离子化过程中对目标区域的保护,保证了测序反应小室的制备质量。

附图说明

图1为本发明一实施例中的测序反应小室制备方法流程示意图。

图2为本发明一实施例中的遮掩装置的示意图。

图3为本发明一实施例中遮掩的上基片示意图。

图4为本发明一较佳实施例的遮掩装置的工作台的结构示意图。

图5为本发明一较佳实施例的遮掩装置的配重块的结构示意图。

图6为本发明一较佳实施例的遮掩装置的压块的结构示意图。

图7为本发明一实施例的遮掩装置的移动块结构示意图。

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