[发明专利]局部掺杂前表面场背接触电池及其制备方法和组件、系统

权利要求书

1.一种局部掺杂前表面场背接触电池，包括N型晶体硅基体，其特征在于：所述N型晶体硅基体的前表面包括局部掺杂n+前表面场和非掺杂区域，在局部掺杂n+前表面场和非掺杂区域的表面设置有前表面钝化减反膜；所述N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为掺杂区域、背表面钝化膜和与掺杂区域欧姆接触的金属电极，所述掺杂区域包括相互交替排列的背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域，所述背表面n+掺杂区域设置有n+金属电极，所述背表面p+掺杂区域设置有p+金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种局部掺杂前表面场背接触电池，其特征在于：局部掺杂n+前表面场的面积小于或者等于N型晶体硅基体前表面面积的20％。

3.根据权利要求1所述的一种局部掺杂前表面场背接触电池，其特征在于：局部掺杂n+前表面场为线条状图案，线条状图案宽100～200μm，线条状图案之间的非掺杂区域宽500～1000μm；或者局部掺杂n+前表面场为点状图案，点状图案的点直径为200～400μm。

4.根据权利要求1所述的一种局部掺杂前表面场背接触电池，其特征在于：局部掺杂n+前表面场的方阻为50～150Ω/sqr，结深为0.2～2.0μm；背表面n+掺杂区域的方阻为20～150Ω/sqr，结深为0.3～2.0μm；背表面p+掺杂区域的方阻为20～150Ω/sqr，结深为0.3～2.0μm。

5.一种局部掺杂前表面场背接触电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)、分别对N型晶体硅基体的前表面和背表面进行掺杂处理，在N型晶体硅基体的背表面形成相互交替排列的背表面硼离子注入区域和背表面磷离子注入区域，在N型晶体硅基体的前表面形成局部磷离子注入区域和无离子注入的非掺杂区域；

(2)、将N型晶体硅基体进行退火处理；退火完成后形成局部掺杂n+前表面场、背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域；

(3)、然后在N型晶体硅基体的前表面形成钝化减反膜，在N型晶体硅基体的背表面形成钝化膜；

(4)、在N型晶体硅基体的背表面制备分别与背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域欧姆接触的金属电极。

6.根据权利要求5所述的一种局部掺杂前表面场背接触电池的制备方法，其特征在于：

步骤(1)中，局部磷离子注入区域的面积小于或者等于N型晶体硅基体前表面面积的20％；

N型晶体硅基体前表面的局部磷离子注入区域的磷离子的注入剂量为1×10¹⁵cm^-2～4×10¹⁵cm^-2，离子注入时，在N型晶体硅基体前表面和离子束之间设置掩膜，掩膜上设置线条状开口，线条状开口宽100～200μm，线条状开口之间的非开孔区域宽500～1000μm；或者掩膜上设置点状开口，点状开口的点直径为200～400μm。

7.一种局部掺杂前表面场背接触电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)、分别对N型晶体硅基体的前表面和背表面进行掺杂处理，在N型晶体硅基体的背表面形成相互交替排列的背表面硼离子注入区域和背表面磷离子注入区域，在N型晶体硅基体的前表面注入磷离子；

(2)、将N型晶体硅基体进行退火处理，退火完成后形成n+前表面场、背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域；然后在N型晶体硅基体的背表面印刷一层覆盖整个背表面的耐酸掩膜，在N型晶体硅基体的前表面印刷一层选择性覆盖N型晶体硅基体的前表面耐酸掩膜；将N型晶体硅基体放入酸性刻蚀液中，刻蚀掉未被耐酸掩膜覆盖的n+前表面场，将N型晶体硅基体放入碱性溶液中，去除N型晶体硅基体前表面的耐酸掩膜和背表面的耐酸掩膜；

(3)、然后在N型晶体硅基体的前表面形成钝化减反膜，在N型晶体硅基体的背表面形成钝化膜；

(4)、在N型晶体硅基体的背表面制备分别与背表面n+掺杂区域和背表面p+掺杂区域欧姆接触的金属电极。