[发明专利]封装件结构及其制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成贯通孔，所述贯通孔延伸穿过模制材料；

在所述贯通孔和所述模制材料上方沉积介电层；

在第一曝光剂量下，在所述介电层的第一区域上实施第一曝光工艺；

在第二曝光剂量下，在所述介电层的第二区域上实施第二曝光工艺，其中，所述介电层的所述第二区域的一部分与所述介电层的所述第一区域的一部分重叠；以及

显影所述介电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一曝光剂量低于所述第二曝光剂量，并且在所述第二曝光工艺之前实施所述第一曝光工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一曝光剂量为100mJ/cm²至500mJ/cm²，并且所述第二曝光剂量为650mJ/cm²至1100mJ/cm²。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一曝光剂量高于所述第二曝光剂量，并且在所述第二曝光工艺之前实施所述第一曝光工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一曝光剂量为650mJ/cm²至1100mJ/cm²，并且所述第二曝光剂量为100mJ/cm²至500mJ/cm²。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底上放置管芯，所述模制材料沿着所述管芯的侧壁延伸；

其中，所述介电层的所述第一区域包括位于所述管芯上面的部分。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述模制材料上方形成再分布线，并且所述再分布线通过所述介电层中的开口电连接至所述贯通孔。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电层的所述第二区域的与所述介电层的所述第一区域的部分重叠的部分位于所述贯通孔上面。

9.一种形成半导体的方法，所述方法包括：

在衬底上形成贯通孔；

沿着所述贯通孔的侧壁应用模制材料；

在所述贯通孔和所述模制材料上方沉积感光层，所述感光层具有所述感光层的第一上表面，所述第一上表面具有在所述感光层的所述第一上表面的第一峰部和所述感光层的所述第一上表面的第一谷部之间的第一差异，所述第一峰部设置在所述贯通孔上方，并且所述第一谷部设置在所述模制材料上方；

在第一曝光剂量下，在所述感光层上实施第一曝光工艺；

在第二曝光剂量下，在所述感光层上实施第二曝光工艺，其中，所述第二曝光剂量不同于所述第一曝光剂量；以及

显影所述感光层，其中，在所述显影之后，所述第一峰部降低，从而使得所述显影之后的所述第一峰部和所述显影之后的所述第一谷部之间的第二差异小于所述第一差异，并且所述感光层具有暴露所述贯通孔的开口。

10.一种半导体器件，包括：

具有接触衬垫的管芯；

第一贯通孔；

插入所述管芯和所述第一贯通孔之间的模制材料，所述模制材料沿着所述管芯和所述第一贯通孔的侧壁延伸；

设置在所述第一贯通孔和所述管芯上方的介电层，所述介电层的一部分延伸至所述第一贯通孔和所述管芯的顶面下方，其中，所述介电层的上表面的高度的差异小于所述介电层的底面的高度的差异；

所述介电层中的位于所述第一贯通孔上方的第一开口；以及

所述介电层中的位于所述接触衬垫上方的第二开口。