[发明专利]一种图形化导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，首先在衬底上采用点胶工艺形成预定图形的聚合物掩模，然后对该衬底进行氧等离子或是紫外光照射处理以提高亲水性，再通过溶液工艺在附有所述聚合物掩模的衬底上制备导电薄膜，最后将该聚合物掩模从所述衬底上剥离，从而得到图形化的导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的聚合物掩模的预定图形通过自动化点胶设备中软件进行设计。

3.根据权利要求1所述的图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底或柔弹性聚合物衬底，该柔弹性聚合物衬底的材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯二甲酸二醇酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚砜、聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、铂催化硅胶或紫外固化胶。

4.根据权利要求1所述的图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，在所述衬底的表面修饰有分离层以增强所述聚合物掩模从该衬底上剥离的效果，所述分离层的材料为三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷或全氟已基三氯硅烷。

5.根据权利要求1所述的图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的聚合物掩模的材料为聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、铂催化硅胶或紫外固化胶。

6.根据权利要求5所述的图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，在衬底上采用点胶工艺形成聚二甲基硅氧烷、聚氨酯或铂催化硅胶聚合物掩模时对该衬底进行加热，所述衬底温度为20-100℃。

7.根据权利要求5所述的图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，在衬底上采用点胶工艺形成紫外固化胶掩模时，在点胶的同时进行紫外光照射。

8.根据权利要求1所述的图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述导电薄膜的材料为pH值酸性或中性的PEDOT：PSS、PPy、单层或多层石墨烯、石墨、炭黑、单壁或多壁碳纳米管、金属纳米线和直径为5～300nm的金属氧化物的纳米颗粒中的一种或几种的组合，所述金属纳米线的材质为金、银、铜、铝或镍，所述金属氧化物为ITO或FTO。

9.根据权利要求8所述的图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的pH值酸性的PEDOT：PSS的pH值在1～2.5之间，其中PEDOT与PSS的质量比为1:2.5～1:6；所述pH值中性的PEDOT：PSS为所述pH值酸性的PEDOT：PSS经有机碱中和后形成的产物。

10.根据权利要求9所述的图形化导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述的有机碱为氨基甲脒、甲胺、乙胺、乙醇胺、乙二胺、二甲胺、三甲胺、三乙胺、丙胺、异丙胺、1,3-丙二胺、1,2-丙二胺、三丙胺、三乙醇胺、丁胺、异丁胺、叔丁胺、己胺、辛胺、苯胺、苄胺、环己胺、吡啶和六亚甲基四胺中的一种或几种的组合。