[发明专利]半导体器件结构的结构和形成方法有效
| 申请号： | 201610749911.3 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653848B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件结构，包括：
鳍结构，位于半导体衬底上方；
隔离部件，邻近所述鳍结构；
栅极堆叠件，覆盖所述鳍结构的一部分，其中，所述栅极堆叠件包括栅极介电层、功函数层和位于所述功函数层上方的导电填料，其中，所述导电填料覆盖所述功函数层的侧边；以及
介电层，覆盖所述鳍结构，其中，所述介电层与所述导电填料直接接触，
其中，所述功函数层终止在所述鳍结构和所述介电层之间的隔离部件上方。
2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，还包括：间隔件元件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上，其中，所述间隔件元件与所述栅极介电层直接接触。
3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述间隔件元件与所述导电填料直接接触。
4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中，所述功函数层通过所述导电填料或所述间隔件元件与所述介电层分离。
5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述功函数层具有位于所述栅极堆叠件的顶部与底部之间的侧边。
6.根据权利要求5所述的半导体器件结构，其中，所述导电填料覆盖所述功函数层的侧边。
7.根据权利要求5所述的半导体器件结构，其中，所述导电填料与所述功函数层的侧边直接接触。
8.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述介电层围绕所述栅极堆叠件，所述介电层与所述功函数层之间的最短距离大于所述介电层与所述导电填料之间的最短距离。
9.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述功函数层和所述栅极介电层不与所述介电层直接接触。
10.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中，所述导电填料的一部分位于所述介电层与所述功函数层之间。
11.一种半导体器件结构，包括：
鳍结构，位于半导体衬底上方；
栅极堆叠件，覆盖所述鳍结构的一部分，其中，所述栅极堆叠件包括栅极介电层、功函数层和位于所述功函数层上方的导电填料；以及
介电层，覆盖所述鳍结构并且围绕所述栅极堆叠件，其中，所述介电层与所述功函数层之间的最短距离大于所述介电层与所述导电填料之间的最短距离，并且其中，所述导电填料覆盖所述功函数层的侧边。
12.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其中，所述功函数层具有位于所述栅极堆叠件的顶部与底部之间的侧边。
13.根据权利要求11所述的半导体器件结构，还包括：间隔件元件，位于所述栅极堆叠件的侧壁上，其中，所述功函数层与所述介电层之间的最短距离大于所述功函数层与所述间隔件元件之间的最短距离。
14.根据权利要求13所述的半导体器件结构，其中，所述导电填料与所述间隔件元件直接接触。
15.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其中，所述功函数层具有位于所述栅极堆叠件的顶部处的侧边。
16.一种用于形成半导体器件结构的方法，包括：
在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件；
形成介电层以围绕所述伪栅极堆叠件；
去除所述伪栅极堆叠件以形成由所述介电层围绕的凹槽；
在所述凹槽的侧壁和底部上方形成栅极介电层和功函数层；
去除所述功函数层的位于所述介电层的侧壁上的部分；
在去除所述功函数层的位于所述介电层的侧壁上的部分之后，形成导电填料以填充所述凹槽。
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