[发明专利]显示面板有效
申请号: | 201610750128.9 | 申请日: | 2016-08-29 |
公开(公告)号: | CN108063152B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 周嘉田;张雅君 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;王芝艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
一种显示面板,包含基板、导电凸块、电容介电层、感应电极、对应基板、电激发光层以及对应电极。对应基板相对于基板设置。导电凸块突出设于基板的内表面,其中导电凸块包含上电容电极与被上电容电极覆盖的凸块,凸块设置于基板的内表面与上电容电极之间。电容介电层覆盖导电凸块与第二基板的内表面一部份。第一感应电极设置于基板或对应基板的内表面上。对应基板具有至少一像素电极与一与该像素电极相分隔的第一电容电极。电激发光层夹设于像素电极与对应电极之间。
技术领域
本发明涉及一种显示面板。
背景技术
在各种平面显示器中,有机发光显示器(Organic Light Emitting Display,简称OLED)因具有视角广、色彩对比效果好、响应速度快及成本低等优点,可望成为下一代的平面显示器的主流。
有机发光显示器有多种型态,例如顶发光型、底发光型或双面发光型。为了维持所需要的储存电容,往往需要保留足够的面积,其中对底发光型以及双面发光型显示器而言,储存电容的设置将导致的有效发光区(有效发光区)变的很小,产生开口率较小的问题。此外,若欲设计额外的触控感应元件于有机发光显示器内,除了,工艺更复杂之外,也会让开口率变更小的问题。
发明内容
本发明的多个实施方式提供一种显示面板的子像素,通过设计子像素内部具有电容介电层,借以增大储存电容的面积,即储存电容元件(固态)位于二基板之间,并且提高开口率。于部份实施方式中,设计自容式或互容式的感应电极,且感应电极与子像素内部的图案化导电层一同形成,以使子像素具有感应(例如:触控)与显示的功能,并简化工艺步骤以降低成本。此外,设计感应电极可位于导线附近,避免影响发光区。
本发明的一目的提供一种显示面板,具有第一基板与设置于第一基板上的第二基板,且显示面板定义有包含多个子像素。每一子像素包含数据线、扫描线、电源线、开关元件、驱动元件、保护层、图案化电极层、电激发光层、对应电极、导电凸块以及电容介电层。数据线设置于第一基板上且沿着第一方向延伸。扫描线设置于第一基板上且沿着第二方向延伸,其中第二方向不平行于第一方向。电源线设置于第一基板上且电性连接于第一电压源。开关元件设置于第一基板上且包含二个端点及第一栅极,其中端点的其中一个电连接于数据线,第一栅极电连接于扫描线。驱动元件包含二个端点及第二栅极,其中端点的其中一个电连接于电源线,第二栅极经由连接导线电连接于开关元件的端点的另一个。保护层覆盖扫描线、数据线、电源线、开关元件、驱动元件、连接导线与第一基板,且保护层包含第一接触洞以及第二接触洞。图案化电极层设置于保护层上,其中图案化电极层包含第一电容电极以及与第一电容电极相分隔的像素电极,像素电极经由第一接触洞而电连接于驱动元件的端点的另一个,第一电容电极经由第二接触洞而电连接于连接导线。电激发光层位于像素电极上。对应电极设置于电激发光层上且电连接于第二电压源,其中第二电压源不同于第一电压源。导电凸块突出设置于第二基板的内表面,其中导电凸块包含导电材料,导电凸块在垂直投影方向上对应于第一电容电极设置。电容介电层覆盖导电凸块与第二基板的内表面,其中导电凸块、电容介电层与第一电容电极形成储存电容。
于本发明的部分实施方式中,显示面板还包含第二电容电极,设置于第二基板的电容介电层上,其中第二电容电极位于导电凸块顶部上,其中第二电容电极的相对二表面分别接触电容介电层与第一电容电极,且导电凸块、电容介电层、第二电容电极与第一电容电极形成储存电容。
于本发明的部分实施方式中,第二电容电极更延伸覆盖导电凸块侧边上的电容介电层或导电凸块侧边与位于第二基板内表面上的电容介电层。
于本发明的部分实施方式中,显示面板还包含导电缓冲层,设置于于第一基板的第一电容电极上,其中导电缓冲层接触第一电容电极,且导电凸块、电容介电层、导电缓冲层与第一电容电极形成储存电容。
于本发明的部分实施方式中,显示面板还包含一第二电容电极,设置于第二基板的电容介电层之上,其中第二电容电极的相对二表面分别接触电容介电层与导电缓冲层,且导电凸块、电容介电层、第二电容电极、导电缓冲层与第一电容电极形成储存电容。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的