[发明专利]晶体管的制造方法

说明书

本发明提供一种晶体管的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述基底和所述栅极结构上覆盖牺牲层；在所述牺牲层上形成光阻图形；以所述光阻图形为掩模进行离子掺杂，在所述栅极结构两侧的基底中形成源漏掺杂区；去除所述光阻图形；在去除所述光阻图形之后去除所述牺牲层。本发明的有益效果在于，将光阻图形形成在易被去除的牺牲层上，进而方便后续对光阻图形的去除，提高了器件的良品率和可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶体管的制造方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，器件的集成度越来越高，半导体制程的复杂度越来越高。

现有的晶体管制作方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成栅极结构；在所述栅极结构上形成光阻图形；以所述光阻图形为掩模对栅极结构两侧的半导体基底进行掺杂，在所述栅极结构两侧的半导体基底中形成源漏掺杂区；去除所述光阻图形。

但是现有的去除光阻图形工艺中，容易出现光阻无法完全去除而产生光阻残留的问题，光阻残留容易对器件的质量和良品率造成影响。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种晶体管的制作方法，能减少光阻残留的问题进而提高晶体管的质量。

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶体管的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述基底和所述栅极结构上覆盖牺牲层；在所述牺牲层上形成光阻图形；以所述光阻图形为掩模进行离子掺杂，在所述栅极结构两侧的基底中形成源漏掺杂区；去除所述光阻图形；在去除所述光阻图形之后去除所述牺牲层。

可选的，所述牺牲层为锗层。

可选的，所述锗层的厚度为

可选的，所述锗层的厚度为

可选的，所述锗层的制备方法为化学气相沉积。

可选的，通过所述化学气相沉积工艺形成锗层的步骤中，工艺温度为500-600℃。

可选的，所述牺牲层为氮氧化硅层。

可选的，所述氮氧化硅层的厚度为

可选的，提供基底的步骤中，所述基底中设置有多个隔离结构，将基底分为器件区域，以及位于器件区域之间的隔离区域；在基底上形成栅极结构的步骤包括：在器件区域的基底上形成栅极结构；在牺牲层上形成光阻图形的步骤包括：在栅极结构的牺牲层上形成第一光阻图形，在隔离区域的基底上形成第二光阻图形；去除光阻图形的步骤包括：去除所述第一光阻图形和第二光阻图形。

可选的，在基底和所述栅极结构上覆盖牺牲层的步骤中，所述牺牲层还覆盖所述隔离结构；所述牺牲层的反光率低于所述隔离结构的反光率。

可选的，所述去除光阻图形的步骤包括：采用灰化工艺去除所述光阻图形。

可选的，所述灰化工艺的温度为220-270℃。

可选的，所述在栅极结构两侧的基底中形成源漏掺杂区的步骤包括：采用离子注入在栅极结构两侧的基底中形成源漏掺杂区。

可选的，所述离子注入的剂量范围为10¹¹-10¹⁶/cm²，能量范围为25-3000keV，离子注入角度与基底法线的夹角为0-30°。

可选的，所述晶体管为N型晶体管，所述离子注入的气体离子源为PH₃或AsH₃。

可选的，所述晶体管为P型晶体管，所述离子注入的气体离子源为B₂H₆或BF₃。

可选的，所述去除牺牲层的方法为湿法清洗。