[发明专利]具有反射器的前照式(FSI)图像传感器在审
申请号: | 201610755423.3 | 申请日: | 2016-08-29 |
公开(公告)号: | CN106920807A | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 高敏峰;杨敦年;刘人诚;林政贤;黄薰莹;许慈轩 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 反射 前照式 fsi 图像传感器 | ||
技术领域
本发明的实施例涉及集成电路器件,更具体地,涉及具有反射器的前照式(FSI)图像传感器。
背景技术
许多现代电子器件包括图像传感器。一些类型的图像传感器包括前照式(FSI)图像传感器和背照式(BSI)图像传感器。FSI图像传感器包括由互连结构覆盖并且配置为接收穿过互连结构的入射辐射(例如,光)的像素传感器的阵列。BSI图像传感器包括位于互连结构上面并且配置为在与互连结构相对的侧上接收入射辐射的像素传感器的阵列。与BSI图像传感器相比,FSI图像传感器更成熟。因此,FSI图像传感器提供每单位成本更好的性能并且更普遍。
发明内容
本发明的实施例提供了一种图像传感器,包括:光电探测器,掩埋在传感器衬底中;支撑衬底,布置在所述传感器衬底下方并且接合至所述传感器衬底;以及反射器,布置在所述光电探测器下方、所述传感器衬底和所述支撑衬底之间并且配置为朝向所述光电探测器反射入射辐射。
本发明的另一实施例提供了一种用于制造图像传感器的方法,所述方法包括:在支撑衬底上方或传感器器件的下侧上形成反射器,其中,所述传感器器件包括光电探测器;在所述支撑衬底上方布置所述传感器器件;以及将所述传感器器件接合至所述支撑衬底,其中,所述光电探测器位于所述反射器上面,并且所述反射器位于所述支撑衬底和所述传感器器件之间。
本发明的又一实施例提供了一种传感器器件,包括:光电探测器的阵列,掩埋在传感器衬底中;支撑器件,布置在所述传感器衬底下方并且接合至所述传感器衬底,所述支撑器件包括支撑衬底和布置在所述传感器衬底和所述支撑衬底之间的支撑互连结构;以及反射器的阵列,布置在所述光电探测器的阵列下方、所述支撑互连结构中,其中,所述反射器配置为朝向相应的所述光电探测器反射入射辐射,并且其中,所述反射器的阵列包括第一材料的第一反射器和第二材料的第二反射器。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1示出了具有反射器的前照式(FSI)图像传感器的一些实施例的截面图。
图2A和图2B示出了图1的FSI图像传感器的更详细的实施例的截面图。
图3A和图3B示出了图2A的FSI图像传感器的更详细的实施例的截面图。
图4A和图4B示出了图2B的FSI图像传感器的更详细的实施例的截面图。
图5示出了图1的FSI图像传感器中的像素传感器的一些实施例的电路图。
图6示出了图1的FSI图像传感器的一些实施例的顶视图。
图7至图9、图10A、图10B和图11至图16示出了用于制造具有反射器的FSI图像传感器的方法的一些实施例的一系列截面图。
图17示出了图7至图9、图10A、图10B和图11至图16的方法的一些实施例的流程图。
图18至图21示出了用于制造具有反射器的FSI图像传感器的方法的其它实施例的一系列截面图。
图22示出了图18至图21的方法的一些实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供了许多用于实现这个发明的不同特征的许多不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本发明。例如,以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外,本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
而且,为便于描述,在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语,以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上),而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的