[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底；

在所述基底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括位于所述基底上的氧化层以及位于所述氧化层上的伪栅极；

在所述伪栅结构两侧的基底内形成应力层；

对所述应力层进行离子掺杂，形成源漏掺杂区；

形成覆盖所述应力层的层间介质层，所述层间介质层的顶部表面露出所述伪栅极；

去除所述伪栅极，在所述层间介质层内形成开口，所述开口底部露出所述氧化层；

在形成所述开口后，进行第一退火处理，以激活所述源漏掺杂区的掺杂离子并修复所述开口底部的氧化层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行第一退火处理的步骤包括：采用尖峰退火的方式进行所述第一退火处理。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行第一退火处理的步骤包括：采用尖峰退火和激光退火的方式进行所述第一退火处理。

4.如权利要求2或3所述的形成方法，其特征在于，采用尖峰退火的方式进行所述第一退火处理的步骤中，退火温度在1000℃到1050℃范围内，压强为一个标准大气压。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，进行所述第一退火处理的步骤包括：进行所述第一退火处理过程中，按体积百分比，氧气在工艺气体中所占比例小于10％。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，进行所述第一退火处理的步骤中，工艺气体包括氧气和氮气。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，进行所述第一退火处理的步骤中，工艺气体中氧气和氮气的体积比在1:10到1:500范围内。

8.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，采用激光退火的方式进行所述第一退火处理的步骤中，所述退火温度在1200℃至1250℃范围内。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述层间介质层的步骤中，所述层间介质层的材料为氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述层间介质层的步骤中，所述层间介质层的厚度在到范围内。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述层间介质层的步骤包括：

在所述基底上形成覆盖所述应力层的前驱隔离膜，所述前驱隔离膜还覆盖所述伪栅结构；

对所述前驱隔离膜进行第二退火处理，将所述前驱隔离膜转化为层间介质膜；

采用平坦化工艺，去除高于所述伪栅结构顶部的层间介质膜露出所述伪栅极，形成所述层间介质层。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，对所述前驱隔离膜进行第二退火处理的步骤包括：采用快速退火的方式对所述前驱隔离膜进行第二退火处理。

13.如权利要求12所述的形成方法，其特征在于，采用快速退火的方式对所述前驱隔离膜进行第二退火处理步骤中，退火温度在950℃到1100℃，退火时间为0秒至20秒，压强为一个标准大气压。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底用于形成N型晶体管；形成应力层的步骤中，所述应力层的材料为SiC、SiP或SiCP；

或者，所述基底用于形成P型晶体管，所述应力层的材料为SiGe、SiB或SiGeB。