[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括：器件区和分别位于所述器件区两侧的第一连接区和第二连接区；

位于所述第一连接区衬底上的第一鳍部、以及位于所述第二连接区衬底上的第二鳍部，所述第一鳍部与第二鳍部平行排列，且所述第一鳍部和第二鳍部的延伸方向垂直于所述第一鳍部和第二鳍部的排列方向；

位于所述器件区、第一连接区和第二连接区衬底中、以及第一鳍部和第二鳍部中的掺杂区；

横跨于所述第一鳍部的部分顶部上的第一插塞；

横跨于所述第二鳍部的部分顶部上的第二插塞；

横跨所述第一鳍部的第一伪栅极，所述第一伪栅极覆盖所述第一鳍部部分侧壁和顶部表面；

横跨所述第二鳍部的第二伪栅极，所述第二伪栅极覆盖所述第二鳍部部分侧壁和顶部表面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述器件区掺杂区上的第三伪栅极。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三伪栅极的材料为多晶硅、多晶锗或多晶硅锗。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三伪栅极的延伸方向垂直或平行于所述第一鳍部和第二鳍部的延伸方向。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一伪栅极和第二伪栅极的材料为多晶硅、多晶锗或多晶硅锗。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一伪栅极和第二伪栅极延伸方向垂直于所述第一鳍部和第二鳍部的延伸方向。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：覆盖所述第一鳍部和第二鳍部侧壁的介质层，所述第一连接区介质层中具有第一接触孔，所述第一接触孔底部暴露出所述第一鳍部顶部表面，所述第二连接区介质层中具有第二接触孔，所述第二接触孔底部暴露出所述第二鳍部顶部表面；所述第一插塞位于所述第一接触孔中，所述第二插塞位于所述第二接触孔中。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述器件区掺杂区上的第三伪栅极，所述介质层还覆盖所述第三伪栅极、第一伪栅极和第二伪栅极顶部和侧壁表面。

9.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述器件区掺杂区上、所述第一鳍部之间衬底上以及所述第二鳍部之间衬底上的隔离结构；

所述第三伪栅极位于所述隔离结构上。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件区的掺杂区中具有掺杂离子，所述第一鳍部中具有第一掺杂离子，所述第二鳍部中具有第二掺杂离子；

所述第一掺杂离子、第二掺杂离子和所述掺杂离子的导电类型相同。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一鳍部顶部与所述插塞之间的第一外延层；位于所述第二鳍部顶部与所述插塞之间的第二外延层。

12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括：器件区和分别位于所述器件区两侧的第一连接区和第二连接区，所述第一连接区衬底上具有第一鳍部，所述第二连接区衬底上具有第二鳍部，所述第一鳍部与第二鳍部平行排列，且所述第一鳍部的延伸方向垂直于所述第一鳍部和第二鳍部的排列方向；

在所述器件区、第一连接区和第二连接区衬底中、以及第一鳍部和第二鳍部中形成掺杂区；

形成横跨于所述第一鳍部的部分顶部上的第一插塞；

形成横跨于所述第二鳍部的部分顶部上的第二插塞；

形成横跨于所述第一鳍部的第一伪栅极，所述第一伪栅极覆盖所述第一鳍部部分侧壁和顶部表面；

形成横跨所于述第二鳍部的第二伪栅极，所述第二伪栅极覆盖所述第二鳍部部分侧壁和顶部表面。