[发明专利]电子设备

权利要求书

1.一种电子设备，包括半导体存储器，其中，半导体存储器包括：

自由层，具有可变磁化方向；

钉扎层，具有钉扎的磁化方向；以及

隧道势垒层，介于钉扎层与自由层之间，

其中，自由层包括：

第一磁性层；

第二磁性层，形成在第一磁性层之上；以及

含锆Zr材料层，介于第一磁性层与第二磁性层之间。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，含Zr材料层包括含FeZr的合金。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，自由层还包括介于第一磁性层与含Zr材料层之间的间隔件层。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，间隔件层包括金属、金属氮化物或金属氧化物中的一种或更多种。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其中，间隔件层包括铬Cr、钌Ru、铱Ir或铑Rh中的一种或更多种。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，第二磁性层具有比第一磁性层的厚度大的厚度。

7.根据权利要求3所述的电子设备，其中，含Zr材料层包括含FeZr的合金，以及间隔件层包括Ru。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，第一磁性层和第二磁性层包括彼此不同的材料。

9.根据权利要求8所述的电子设备，还包括介于第一磁性层与第二磁性层之间的材料层，所述材料层用于缓解第一磁性层与第二磁性层之间的晶格结构上的差异和晶格失配。

10.根据权利要求1所述的电子设备，还包括处理器，所述处理器包括：

核心单元，被配置成基于从处理器的外部输入的命令、通过使用数据来执行与所述命令相对应的操作；

高速缓存存储单元，被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或者被执行操作的数据的地址；以及

总线接口，连接在核心单元与高速缓存存储单元之间，且被配置成在核心单元与高速缓存存储单元之间传送数据，

其中，所述半导体存储器是处理器中的高速缓存存储单元的部件。

11.根据权利要求1所述的电子设备，还包括数据储存系统，所述数据储存系统包括：

储存设备，被配置成储存数据以及不管电源如何都保留储存的数据；

控制器，被配置成根据从外部输入的命令来控制将数据输入储存设备和从储存设备输出数据；

暂时储存设备，被配置成暂时储存在储存设备与外部之间交换的数据；以及

接口，被配置成在储存设备、控制器和暂时储存设备中的至少一个与外部之间执行通信，

其中，所述半导体存储器是数据储存系统中的储存设备或暂时储存设备的部件。

12.一种电子设备，包括半导体存储器，其中，半导体存储器包括：

自由层，具有可变磁化方向；

钉扎层，具有钉扎的磁化方向；以及

隧道势垒层，介于钉扎层与自由层之间，

其中，自由层包括：

多个磁性层；以及

含锆Zr材料层，介于所述多个磁性层之间，

其中，自由层具有合成反铁磁SAF结构。

13.根据权利要求12所述的电子设备，其中，含Zr材料层包括FeZr。

14.根据权利要求12所述的电子设备，其中，自由层还包括间隔件层，所述间隔件层介于所述多个磁性层之中的不与隧道势垒层接触的磁性层与含Zr材料层之间。

15.根据权利要求14所述的电子设备，其中，间隔件层包括金属、金属氮化物或金属氧化物中的一种或更多种。

16.根据权利要求15所述的电子设备，其中，间隔件层包括铬Cr、钌Ru、铱Ir或铑Rh中的一种或更多种。

17.根据权利要求12所述的电子设备，其中，所述多个磁性层之中的与隧道势垒层接触的磁性层具有比剩余的多个磁性层之中的任意一个的厚度大的厚度。

18.根据权利要求14所述的电子设备，其中，含Zr材料层包括含FeZr的合金，以及间隔件层包括Ru。

19.根据权利要求12所述的电子设备，其中，所述多个磁性层包括彼此不同的材料。

20.根据权利要求19所述的电子设备，还包括介于所述多个磁性层之间的材料层，所述材料层用于缓解所述多个磁性层之间的晶格结构上的差异和晶格失配。