[发明专利]一种湿法黑硅电池的制备方法有效
申请号: | 201610757588.4 | 申请日: | 2016-08-29 |
公开(公告)号: | CN106299026B | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 励小伟;梁海;赖儒丹;周涛铭;胡巧;张小明 | 申请(专利权)人: | 浙江启鑫新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)33228 | 代理人: | 代忠炯 |
地址: | 315712 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 电池 制备 方法 | ||
1.一种湿法黑硅电池的制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:
1)用金刚线切割多晶硅片至所需形状;
2)将切割好的硅片放入HF、H2O2和乙二酸的混合水溶液中,60~80℃反应40~50min;
3)将硝酸银、苯甲醛、聚氧乙烯-聚氧丙烯共聚物和浓硫酸加入水中,混合,搅拌,20~30℃下反应20~40min,离心,得到纳米银;
4)将纳米银加入混合液中,得到纳米银浆液;所述纳米银浆液中纳米银的含量为15~20%wt;所述混合液由以下重量百分比的组分组成:乙醇5~10%,维生素C 1.5~3%,余量为含15~20%wt氨的氨水;
5)将步骤2)的硅片背面黏贴掩膜,浸入纳米银浆液,静置20~30min,取出,烘干,得到黑硅硅片;
6)用所述黑硅硅片制备电池。
2.根据权利要求1所述的湿法黑硅电池的制备方法,其特征在于,所述步骤1)多晶硅片的厚度为150~200μm。
3.根据权利要求1所述的湿法黑硅电池的制备方法,其特征在于,所述步骤2)混合水溶液由以下重量百分比的组分组成:HF 5~10%、H2O2 3~5%、乙二酸5~8%,余量为水。
4.根据权利要求1所述的湿法黑硅电池的制备方法,其特征在于,所述步骤3)各原料的质量分数为:硝酸银15~20%,苯甲醛30~40%,聚氧乙烯-聚氧丙烯共聚物0.75~3%,浓硫酸0.5~1.5%,余量为水。
5.根据权利要求1所述的湿法黑硅电池的制备方法,其特征在于,所述步骤5)黏贴掩膜为掺有5~10%wtSiO2的石蜡。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江启鑫新能源科技股份有限公司,未经浙江启鑫新能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610757588.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的