[发明专利]一种N型单晶双面电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型单晶双面电池的制备方法，具体包括如下步骤：

S1在硅片正面制绒，然后进行B扩散；

S2进行湿法蚀刻，去除硅片背面、边缘形成的自扩散层；

S3然后采用PEVCD设备在B扩散层上面沉积SiN_X掩膜；

S4对硅片背面进行P扩散；

S5等离子蚀刻硅片边缘的自扩散层，接着用腐蚀液对硅片进行清洗，去除硅片表面SiN_X掩膜层和磷硅玻璃层；

S6利用ALD方式形成硅片正面Al₂O₃钝化膜，然后在硅片正面沉积SiN_X保护膜、在硅片背面沉积SiN_X减反膜；

S7在硅片的正面和背面分别进行丝网印刷形成电极，然后烧结；

其特征在于，步骤S1所述在硅片正面制绒的具体方法为：先用激光在硅片正面形成金字塔结构，并用氮气清洁干净，然后加热硅片到70°～80°，利用超声波雾化技术在硅片正面沉积一层均匀、不连续的NaOH小液滴，经过2～4分钟腐蚀后在硅片正表面形成金字塔绒面结构。

2.根据权利要求1所述的一种N型单晶双面电池的制备方法，其特征在于：NaOH小液滴雾化前的NaOH溶液的质量百分比浓度为10％～20％。

3.根据权利要求2所述的一种N型单晶双面电池的制备方法，其特征在于：所述腐蚀液为硝酸与氢氟酸的混合液，硝酸与氢氟酸的质量浓度比为6:1。