[发明专利]一种钙钛矿薄膜光电晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610761443.1 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106129257B | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 周航;杜嵩楠;王琰 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京卓岚智财知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11624 | 代理人： | 任漱晨 |
| 地址： | 518055 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机无机杂化 钙钛矿薄膜 光电晶体管 硅衬底 金属氧化物层 钝化层 制备 覆盖 金属氧化物半导体 钙钛矿材料层 源漏金属电极 金属氧化层 二氧化硅 钙钛矿层 钙钛矿相 制备工艺 光探测 宽光谱 上表面 成功率 响应 | ||
【权利要求书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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