[发明专利]光刻残留物的检测方法、半导体器件制备方法在审
| 申请号： | 201610763158.3 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107785282A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/027;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 汪洋,冯永贞 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 残留物 检测 方法 半导体器件 制备 | ||
1.一种光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
光刻前，在晶圆的表面上形成检测辅助材料层；
对带有所述检测辅助材料层的所述晶圆进行光刻；
对光刻后的所述晶圆去除所述检测辅助材料层，对于没有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则被去除，对于有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则与光刻残留物一起被保留，如此形成台阶；
对所述晶圆进行缺陷检测。
2.根据权利要求1所述的光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述检测辅助材料层为氧化硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述检测辅助材料层为氮氧化硅或氮化硅薄膜。
4.根据权利要求1所述的光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述检测辅助材料层的厚度为300埃。
5.根据权利要求1所述的光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述光刻前，在晶圆的表面上形成所述检测辅助材料层，为采用炉管或CVD的方法沉积。
6.根据权利要求1所述的光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述对光刻后的晶圆去除所述检测辅助材料层，为采用酸液腐蚀。
7.根据权利要求6所述的光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述酸液为氢氟酸。
8.根据权利要求6所述的光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述酸液为磷酸。
9.根据权利要求1所述的光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述对晶圆进行缺陷检测，为所述台阶在缺陷检测仪器下呈现出亮白光而被检测出来。
10.一种半导体器件的制备方法，所述方法包括权利要求1至9之一所述的光刻残留物的检测方法，然后进行离子注入。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
