[发明专利]一种LDMOS晶体管结构有效
| 申请号： | 201610765144.5 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107785423B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王伟;江宇雷;陈玉华;魏琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 晶体管 结构 | ||
1.一种LDMOS晶体管结构，其特征在于，所述LDMOS晶体管结构包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底内且分立设置的第一漂移区及第二漂移区；
位于所述第一漂移区内的源极及位于所述第二漂移区内的漏极；
位于所述半导体衬底上且两侧分别与所述第一漂移区、第二漂移区接触的栅极结构；
位于所述第一漂移区中并将所述源极与所述栅极结构隔离的第一隔离结构；位于所述第二漂移区中并将所述漏极与所述栅极结构隔离的第二隔离结构；其中：
所述第一隔离结构与第二隔离结构上均设有浮置场板；所述浮置场板的材质为多晶硅。
2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于：所述第一隔离结构与第二隔离结构上均只设有一个浮置场板。
3.根据权利要求2所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于：所述浮置场板的宽度大于或等于所述第一、第二隔离结构宽度的三分之一。
4.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于：所述第一隔离结构与第二隔离结构上均设有多个分立设置的浮置场板。
5.根据权利要求4所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于：所述第一隔离结构上的浮置场板数量为2-10，所述第二隔离结构上的浮置场板数量为2-10。
6.根据权利要求4所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于：各浮置场板的宽度相等或不相等；各相邻两个浮置场板之间的距离相等或不相等。
7.根据权利要求2或4所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于：所述栅极结构包括栅氧化层、形成于所述栅氧化层上的多晶硅栅以及形成于所述多晶硅栅侧壁的侧墙结构；所述浮置场板与所述侧墙结构之间的距离大于或等于0。
8.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于：所述LDMOS晶体管结构为PLDMOS或NLDMOS。
9.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于：所述源极上连接有源极场板，所述漏极上连接有漏极场板；所述浮置场板与所述漏极场板或源极场板之间的距离大于0。
10.根据权利要求9所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于：所述源极场板与漏极场板的材质为多晶硅。
11.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于：所述第一隔离结构与第二隔离结构均为浅沟槽隔离结构。
12.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管结构，其特征在于：所述半导体衬底内还设有阱区，所述第一漂移区与第二漂移区均位于所述阱区内。
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