[发明专利]一种氯离子插层的3D镍钴双金属氢氧化物材料的低温合成方法在审
| 申请号： | 201610766805.6 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106449127A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 卢黎明;任铁真 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300401 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氯离子 双金属 氢氧化物 材料 低温 合成 方法 | ||
【说明书】：
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