[发明专利]一种磁控元件和磁控溅射装置

权利要求书

1.一种磁控元件，用于溅射靶材，其特征在于，包括闭合磁控管和非闭合磁控管，所述闭合磁控管的内磁极和外磁极之间组成闭合的等离子体路径，所述非闭合磁控管的第一磁极和第二磁极之间组成非闭合的等离子体路径，所述闭合的等离子体路径和所述非闭合的等离子体路径用于至少对应覆盖所述靶材中心到所述靶材边缘的半径区域；其中，

所述闭合磁控管的外磁极为闭合环，且所述内磁极嵌套于所述外磁极内部；并且，

所述闭合磁控管的所述外磁极和所述非闭合磁控管的所述第一磁极连接；或者，

所述闭合磁控管的所述外磁极用作所述非闭合磁控管的所述第一磁极，所述外磁极和所述第二磁极之间组成所述非闭合的等离子体路径。

2.根据权利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述闭合的等离子体路径和所述非闭合的等离子体路径互不重叠，所述磁控元件的旋转中心对应位于所述闭合的等离子体路径或者所述非闭合的等离子体路径中，所述磁控元件的旋转中心与所述靶材中心重合。

3.根据权利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述闭合磁控管对应位于所述靶材边缘区域的正投影方向上，所述非闭合磁控管对应位于所述靶材中心区域的正投影方向上。

4.根据权利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述闭合磁控管对应位于所述靶材中心区域的正投影方向上，所述非闭合磁控管对应位于所述靶材边缘区域的正投影方向上。

5.根据权利要求1所述的磁控元件，其特征在于，所述非闭合磁控管对应位于所述靶材中心到所述靶材边缘的所述半径区域的正投影方向上，且所述非闭合的等离子体路径对应覆盖两个不同延伸方向的所述靶材的半径。

6.一种磁控溅射装置，包括靶材，其特征在于，还包括权利要求1-5任意一项所述的磁控元件，所述磁控元件设置在所述靶材的正上方；还包括直流电源和/或射频电源，所述直流电源和/或所述射频电源连接所述靶材，用于为所述靶材提供溅射功率。

7.根据权利要求6所述的磁控溅射装置，其特征在于，所述射频电源的频率范围为400k-60MHz。

8.根据权利要求7所述的磁控溅射装置，其特征在于，所述射频电源的频率为400kHz、2MHz、13.56MHz、40MHz或60MHz。