[发明专利]一种磁性隧道结的制备方法有效
| 申请号： | 201610779667.5 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107785485B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 左正笏;喻涛;陈志刚;谷勋;刘瑞盛;刘波 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨天娇 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 制备 方法 | ||
1.一种磁性隧道结的制备方法，其特征在于，所述磁性隧道结的制备方法包括：
在衬底上沉积种子层、参比层、隧 穿层、存储层、过渡层和硬掩膜层；
光刻出掩膜形状，并刻蚀硬掩膜层；
以刻蚀后的硬掩膜层为硬掩膜，进行氧注入；
进行高温退火处理，并光刻去除多余的部分；
回填介质材料，并进行CMP平坦化处理；
在平坦化处理后的表面沉积顶电极，并光刻出顶电极图案。
2.根据权利要求1所述的磁性隧道结的制备方法，其特征在于，所述种子层材料为Ta，Ru或Ta/Ru。
3.根据权利要求1所述的磁性隧道结的制备方法，其特征在于，所述存储层材料为CoFeB或者CoFeB/CoFe双层材料。
4.根据权利要求1所述的磁性隧道结的制备方法，其特征在于，所述隧穿层材料为MgO，Al2O3或者HfO2。
5.根据权利要求1所述的磁性隧道结的制备方法，其特征在于，所述过渡层材料为缺氧的MgO。
6.根据权利要求1所述的磁性隧道结的制备方法，其特征在于，所述回填的介质材料为低k值材料，或者超低k值材料。
7.根据权利要求1所述的磁性隧道结的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜材料为Ta，TaN，TiN或者W中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的磁性隧道结的制备方法，其特征在于，所述高温退火的温度为300度～800度，时间30秒～40分钟。
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