[发明专利]一种硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：

(1)在镀有二氧化硅作掩膜的硅衬底上光刻和氢氧化钾湿法刻蚀图形；

(2)在所述图形的凹槽侧壁上生长硅掺杂的氮化镓纳米带；

(3)剥离所述纳米带，将所述剥离得到的纳米带转移至镀有二氧化硅的硅片基底上；

(4)在所述步骤(3)得到基底的纳米带上镀银电极，得到硅掺杂氮化镓纳米带紫外光探测器。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镀有二氧化硅作掩膜的硅衬底的电阻率大于1000Ω·cm；

所述硅衬底的衬底部分的晶向为<110>。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述镀有二氧化硅作掩膜的硅衬底的厚度为420～440μm；

所述硅衬底上二氧化硅的厚度为100～150nm。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述图形为条纹凹槽阵列。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述条纹凹槽阵列侧壁垂直于作掩膜的二氧化硅面且互相平行；

所述条纹凹槽阵列平行于硅衬底的晶向。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述条纹凹槽阵列的槽宽为5.5～6.5μm，槽深为2～2.5μm，槽间距为3.5～4.5μm。

7.根据权利要求1～3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述硅掺杂的氮化镓纳米带的厚度为0.8～1.2μm，硅掺杂浓度为1×10¹⁸～2×10¹⁸cm^-3。

8.根据权利要求1～3任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述银电极的厚度为250～350nm。