[发明专利]半导体集成电路有效
申请号: | 201610783800.4 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106887423B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 林楷竣;池育德;李嘉富 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/528 | 分类号: | H01L23/528;H01L23/525;H01L27/112;G11C11/16;G11C11/22;G11C13/00 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 | ||
本发明的实施例涉及一种半导体集成电路。该半导体集成电路包括衬底、第一晶体管和第一图案化的导电层。第一晶体管具有在衬底中的源极区域、漏极区域以及在衬底上的栅极区域。第一图案化的导电层电连接至第一晶体管的漏极区域。第一图案化的导电层包括第一区段、第二区段和可熔器件。
技术领域
本发明的实施例总体涉及半导体领域,更具体地,涉及半导体集成电路。
背景技术
在集成电路的发展阶段中,控制电路(诸如中央处理单元(CPU)或微处理器)的应用程序被写入只读存储器(ROM)中。随后,在制造阶段,制造控制电路同时该程序存储在ROM中。可通过光刻掩蔽制造ROM,以使记录的数据由特定的光刻掩模结构限定。此外,每个存储单元均由晶体管构成。在此单元中记忆的二进制数据通过在用于耗尽或增强的注入操作期间晶体管已经被掩蔽或未被掩蔽的事实限定。然后,测试集成电路。如果集成电路的应用是相当复杂的一种,则在程序中易于出现错误。为了改正该错误,再次制造集成电路可能是有必要的,这包括控制电路和更正的新程序。这意味着使用新一组的掩膜,因此导致相对高的成本和冗长的操作。
为了提供集成电路设计的灵活性,随机存取存储器(RAM)用于存储控制电路的应用程序。应用程序的错误可在RAM中被改正,然后经更正的程序可被发送至ROM以完成集成电路。相比于改变ROM构造,使用附加的RAM可节省时间和成本。然而,附加的RAM不可避免地会占用一定空间或面积,这增大了集成电路的尺寸。此外,需要附加的外围电路以控制或支持附加的RAM,这使电路设计和电源管理复杂化。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供了一种半导体集成电路,包括:衬底;第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管的每一个均具有在在所述衬底中的源极区域、漏极区域以及在所述衬底上的栅极区域;第一图案化的导电层,位于所述第一晶体管和所述第二晶体管上方且具有第一部分和第二部分,所述第一图案化的导电层的第一部分电连接至所述第一晶体管的漏极区域,所述第一图案化的导电层的第二部分电连接至所述第二晶体管的漏极区域,所述第一图案化的导电层的第一部分和第二部分彼此隔离;第二图案化的导电层,位于所述第一图案化的导电层上方;存储元件,位于所述第一图案化的导电层的第一部分与所述第二图案化的导电层之间;以及第一导电元件,位于所述第一图案化的导电层的第二部分与所述第二图案化的导电层之间。
根据本发明的另一方面,提供了一种半导体集成电路,包括:衬底;第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管的每一个均具有在所述衬底中的源极区域、漏极区域以及在所述衬底上的栅极区域;第一图案化的导电层,位于所述第一晶体管和所述第二晶体管上方且至少具有第一部分和第二部分,所述第一图案化的导电层的第一部分电连接至所述第一晶体管的漏极区域,所述第一图案化的导电层的第二部分电连接至所述第二晶体管的漏极区域,所述第一图案化的导电层的第一部分和第二部分彼此隔离;第二图案化的导电层,位于所述第一图案化的导电层上方;以及存储元件,位于所述第一图案化的导电层的第一部分与所述第二图案化的导电层之间,其中,所述第一图案化的导电层的第二部分的至少一部分与所述第二图案化的导电层隔离。
根据本发明的又一方面,提供了一种半导体集成电路,包括:衬底;第一晶体管,具有在所述衬底中的源极区域、漏极区域以及在所述衬底上的栅极区域;第一图案化的导电层,电连接至所述第一晶体管的漏极区域,所述第一图案化的导电层包括第一区段、第二区段和可熔器件。
附图说明
当结合附图进行阅读时,根据下面详细的描述可以最佳地理解本发明的方面。应该强调的是,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚地讨论,各个部件的尺寸可以任意地增加或减少。
图1A是示出了根据一些实施例的集成电路的框图。
图1B是示出了如在图1A中示出的存储器件的存储单元的示意图。
图1C是示出了如在图1B中示出的存储单元的阵列的示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610783800.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:封装件结构及其形成方法
- 下一篇:薄膜晶体管阵列基板及其制备方法