[发明专利]交错并联电路、功率集成模块及功率集成芯片有效
申请号: | 201610783952.4 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN107800294B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 蔡超峰;梁乐;陈燕 | 申请(专利权)人: | 台达电子企业管理(上海)有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 姜怡;阚梓瑄 |
地址: | 201209 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 交错 并联 电路 功率 集成 模块 芯片 | ||
1.一种交错并联电路,包括并联的第一桥臂和第二桥臂,其特征在于,所述第一桥臂包括:
第一上桥臂开关,所述第一上桥臂开关包括第一端、第二端以及控制端;
第一下桥臂开关,所述第一下桥臂开关包括第一端、第二端以及控制端;
所述第一上桥臂开关的第二端与所述第一下桥臂开关的第一端电性连接;以及
所述第二桥臂包括:
第二上桥臂开关,所述第二上桥臂开关包括第一端、第二端以及控制端;
第二下桥臂开关,所述第二下桥臂开关包括第一端、第二端以及控制端;
所述第二上桥臂开关的第二端与所述第二下桥臂开关的第一端电性连接;
其中,所述第一桥臂和所述第二桥臂至少部分地形成于一晶片,所述晶片包含多个第一元胞组和多个第二元胞组;
其中,所述多个第一元胞组用于形成所述第一桥臂的第一上桥臂开关和所述多个第二元胞组用于形成所述第二桥臂的第二上桥臂开关,或者所述多个第一元胞组用于形成所述第一桥臂的第一下桥臂开关和所述多个第二元胞组用于形成所述第二桥臂的第二下桥臂开关;
其中,所述多个第一元胞组与所述多个第二元胞组交错启闭。
2.根据权利要求1所述的交错并联电路,其特征在于,所述晶片由所述多个第一元胞组和所述多个第二元胞组组成。
3.根据权利要求1所述的交错并联电路,其特征在于,还包括:
第一电感,所述第一电感包含第一端与第二端,所述第一电感的第一端电性连接于所述第一上桥臂开关的第二端与所述第一下桥臂开关的第一端;
第二电感,所述第二电感包含第一端与第二端,所述第二电感的第一端电性连接于所述第二上桥臂开关的第二端与所述第二下桥臂开关的第一端;
所述第一电感的第二端与所述第二电感的第二端电性连接。
4.根据权利要求1所述的交错并联电路,其特征在于,所述多个第一元胞组与所述多个第二元胞组交错启闭的相位差是180度,或120度,或90度。
5.根据权利要求1所述的交错并联电路,其特征在于,所述多个第一元胞组具有多个第一外接引脚,所述多个第二元胞组具有多个第二外接引脚,且所述多个第一外接引脚的几何中心与所述多个第二外接引脚的几何中心重合。
6.根据权利要求1所述的交错并联电路,其特征在于,所述多个第一元胞组位于所述晶片的第一区域,所述多个第二元胞组位于所述晶片的第二区域。
7.根据权利要求6所述的交错并联电路,其特征在于,所述第一区域包含多个第一子区域,所述第二区域包含多个第二子区域,所述多个第一子区域和所述多个第二子区域为条形,所述多个第一子区域和所述多个第二子区域交替平行排布。
8.根据权利要求6所述的交错并联电路,其特征在于,所述第一区域包含多个第一子区域,所述第二区域包含多个第二子区域,所述多个第一子区域和所述多个第二子区域为多边形,所述多个第一子区域和所述多个第二子区域交替排布。
9.根据权利要求1所述的交错并联电路,其特征在于,所述交错并联电路包括BUCK电路、BOOST电路或图腾柱电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子企业管理(上海)有限公司,未经台达电子企业管理(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610783952.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。