[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括稀疏区和密集区；

在基底上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括位于基底上的伪栅电极，所述伪栅电极的顶部表面具有保护层，所述保护层具有第一硬度；

在基底上形成覆盖伪栅极结构侧壁和保护层侧壁的层间介质层，所述层间介质层暴露出保护层的顶部表面，所述层间介质层的硬度小于第一硬度，所述层间介质层的形成方法包括：在基底上形成覆盖伪栅极结构侧壁和保护层侧壁的第一层间介质层；形成第一层间介质层后，对所述保护层进行离子注入，使保护层具有第二硬度，第二硬度小于第一硬度；

研磨所述层间介质层和保护层直至暴露出伪栅电极的顶部表面；

研磨层间介质层和保护层后，去除伪栅电极，在稀疏区形成第一开口，在密集区形成第二开口；

在第一开口和第二开口中形成金属栅电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子注入采用离子为Ar离子、Si离子或N离子。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述离子为Ar离子时，所述离子注入的注入能量为8KeV～100KeV，注入剂量为1.0E13atom/cm²～1.0E17atom/cm²，注入角度为0度～45度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述离子为Si离子时，所述离子注入的注入能量为3KeV～80KeV，注入剂量为1.0E13atom/cm²～1.0E17atom/cm²，注入角度为0度～45度。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述离子为N离子时，所述离子注入的注入能量为1KeV～30KeV，注入剂量为1.0E13atom/cm²～1.0E17atom/cm²，注入角度为0度～45度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述层间介质层为第一层间介质层；仅对所述保护层进行离子注入；

研磨层间介质层和保护层的方法为：研磨第一层间介质层和保护层直至暴露出伪栅电极的顶部表面。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成掩膜层，所述掩膜层覆盖第一层间介质层的表面且暴露出保护层的顶部表面；所述离子注入以所述掩膜层为掩膜进行；进行离子注入后，去除所述掩膜层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子注入还作用于第一层间介质层；

所述半导体器件的形成方法还包括：

进行离子注入后，去除部分厚度的第一层间介质层；

去除部分厚度的第一层间介质层后，在所述第一层间介质层上形成第二层间介质层，所述第二层间介质层暴露出保护层的顶部表面，第二层间介质层的硬度大于或等于第一层间介质层的硬度且小于第一硬度；

形成第二层间介质层后，第二层间介质层和第一层间介质层构成层间介质层；

研磨层间介质层和保护层的方法为：研磨第二层间介质层和保护层直至暴露出伪栅电极的顶部表面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，研磨第二层间介质层和保护层的工艺包括第二化学机械研磨工艺。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二层间介质层的材料为氧化硅、碳氧化硅或氮氧化硅。

11.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成第二层间介质层的方法包括：形成覆盖第一层间介质层和保护层的第二层间介质膜；去除高于保护层顶部表面的第二层间介质膜，从而形成第二层间介质层。