[发明专利]一种MOSFET器件氮化方法

权利要求书

1.一种MOSFET器件氮化方法，包括在所述MOSFET器件的氧化处理过程中和氧化处理之后均使用氮气对所述MOSFET器件进行氮化处理，所述氧化处理在1200-1500℃的温度范围和500mbar到1000mbar的压力范围下进行，并且所述氮化处理在1250-1450℃的温度下进行，

其中，所述氮气与用于氧化处理的氧化气体的流量比为0.2-0.5:1，

所述氧化处理在高温炉中进行，所述氮气以与氧化气体的混合物形式通入高温炉中，且所述混合物的通入速率为0.5-2slm，并且在氧化处理之后，停止通入氧化气体，以0.5-2slm的速率通入氮气，使所述MOSFET器件在所述氮气中退火30-120分钟。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮气与用于氧化处理的氧化气体的流量比为0.2-0.35:1。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化处理为以O₂为氧化气体的干氧氧化，或者以O₂和H₂为氧化气体的湿氧氧化。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括钝化处理步骤：在氧化处理和氮化处理之后，将所述MOSFET器件在惰性气体氛围下进行退火，然后在惰性气体氛围下降温。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述钝化处理步骤中的退火温度1200-1500℃，退火时间30-120分钟。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在氧化处理之前，将制备所述MOSFET器件的晶圆进行清洗；将清洗后的晶圆置于高温炉中，通入惰性气体使所述晶圆处于惰性气氛中；将高温炉以5-10℃/min的速率升温至氧化处理温度，然后通入氧化气体进行氧化处理。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述MOSFET器件的氧化处理之前利用所述氮气进行氮化。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述MOSFET器件为Si MOSFET器件或SiC MOSFET器件。