[发明专利]一种SOI硅衬底材料的制备方法

权利要求书

1.一种SOI硅衬底材料的制备方法，其特征在于：所述衬底材料是指带有掺杂的多晶硅层或掺杂的非晶硅层的SOI硅衬底片，其制备方法包括如下步骤：

(1)提供高阻硅片，依次经过DHF、SC1和SC2清洗，去除表面的自然氧化层和污染物，获得高质量的硅片表面；

(2)在高阻硅片表面制备氧化硅层，所述氧化硅层厚度为

(3)在氧化硅层表面制备掺杂的多晶硅层或掺杂的非晶硅层，获得带有掺杂的多晶硅层或掺杂的非晶硅层的SOI硅衬底片。

2.根据权利要求1所述的SOI硅衬底材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述高阻硅片的电阻率大于500ohm.cm。

3.根据权利要求1所述的SOI硅衬底材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述多晶硅层或非晶硅层的厚度为1～5μm，电阻率为1～100ohm.cm。

4.根据权利要求1所述的SOI硅衬底材料的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述掺杂的多晶硅层或掺杂的非晶硅层的制备过程如下：

(A)将生长完氧化硅层的高阻硅片装入密封反应室，反应室内压力为10torr～760torr；

(B)升温至淀积温度500～1000℃，通入硅源和掺杂源，淀积所需要的多晶或非晶硅层，淀积时间为2min～30min；

(C)反应室中通入氢气，除去反应室中的杂质及残气体后，自然冷却至室温；

(D)反应室中通入氮气，除去其中的氢气后取出硅片，即获得带有掺杂的多晶硅层或掺杂的非晶硅层的SOI硅衬底片。

5.根据权利要求4所述的SOI硅衬底材料的制备方法，其特征在于：步骤(B)中，所述硅源为硅烷(SiH₄)、三氯硅烷(SiHCl₃)、二氯硅烷(SiH₂Cl₂)或四氯化硅(SiCl₄)；如果硅源为硅烷或二氯硅烷，通入流量为50～150sccm；如果硅源为三氯硅烷或四氯硅烷，通入流量为5～20g/min。

6.根据权利要求4所述的SOI硅衬底材料的制备方法，其特征在于：步骤(B)中，所述掺杂源为P型掺杂源或N型掺杂源，P型掺杂源为双硼烷(B₂H₆)，掺杂浓度为1.30E+14～1.47E+16at/cm³；N型掺杂源为磷烷(PH₃)或砷烷(AsH₃)，掺杂浓度为4.32E+13～4.83E15at/cm³。