[发明专利]一种聚硅氧烷、掺杂浆料以及掩膜材料

权利要求书

1.一种聚硅氧烷，其特征在于：含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段，

式1中，Q为含有醇羟基且主链碳原子数小于12的烷基、或者含有醇羟基且主链非氢原子数小于12且含杂原子的烷基；T为羟基、烷基、含有醇羟基且主链碳原子数小于12的烷基、或者含有醇羟基且主链非氢原子数小于12且含杂原子的烷基。

2.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：还含有摩尔含量1～99％的至少一种选自下式2所示的分子结构片段，

式2中X1为碳原子数小于8的烷基、或碳原子数小于10的芳基；Y1为羟基、碳原子数小于10的芳基、或者碳原子数小于8的烷基。

3.根据权利要求2所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述式2所示的分子结构片段的摩尔含量为1～50％。

4.根据权利要求2所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Y1为羟基。

5.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Q为式3所示的结构片段,

式3中，X为碳原子数小于7的烷基、或者主链非氢原子数小于7且含杂原子的的烷基；R1、R2、R3分别独立为氢原子、碳原子数小于3的取代基、或者R2与X上的碳原子连接成为环状取代基。

6.根据权利要求5所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述X为主链非氢原子数小于7且含杂原子的烷基。

7.根据权利要求5所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述R1、R2、R3分别独立为氢原子、碳原子数为1的取代基、或者R2与X上的碳原子连接成为环状取代基。

8.根据权利要求5或7所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述R1、R2、R3分别独立为氢原子。

9.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：T为羟基、碳原子数小于8的烷基、或者含有式4所示的结构，

式4中Z为碳原子数小于7的烷基、或者主链非氢原子数小于7且含杂原子的的烷基；R4、R5、R6分别独立为氢原子、碳原子数小于3的取代基、或者R2与Z上的碳原子连接成为环状取代基。

10.根据权利要求9所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Z为主链非氢原子数小于7且含杂原子的的烷基。

11.根据权利要求9所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述T为羟基。

12.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷不含有环氧乙烷结构。

13.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量为500～50000。

14.根据权利要求13所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量为1000～11000。

15.根据权利要求14所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量为1500～5500。

16.一种用于太阳能和半导体的掺杂浆料、以及掩膜材料，其特征在于：含有权利要求1～15任意一项所述的聚硅氧烷。

17.根据权利要求16所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料、以及掩膜材料，其特征在于还含有：

掺杂剂成分A、

高分子粘结剂B、

或溶剂C。

18.根据权利要求17所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料、以及掩膜材料，其特征在于：所述掺杂剂成分A包含第5主族元素的化合物的n型掺杂剂成分、或者包含第3主族元素的化合物的p型掺杂剂成分。

19.根据权利要求18所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料、以及掩膜材料，其特征在于：所述掺杂剂成分A包含无机硼化合物成分、或者无机磷化合物成分。

20.根据权利要求17所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料、以及掩膜材料，其特征在于：所述高分子粘结剂B的分子结构重复单元中包含醇羟基。

21.根据权利要求20所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料、以及掩膜材料，其特征在于：所述高分子粘结剂B的重均分子量范围为1000～300000。