[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成基底，所述基底中具有隔离凹槽，所述隔离凹槽之间的基底中具有掺杂离子；

形成覆盖所述隔离凹槽侧壁和所述基底顶部表面的保护层；

在所述隔离凹槽中形成隔离结构，在形成所述隔离结构的过程中，所述掺杂离子在所述保护层中的扩散速率小于在所述隔离结构中的扩散速率。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：形成覆盖所述隔离凹槽侧壁和所述基底顶部表面的初始保护层；通过第二离子注入在所述初始保护层中注入保护离子，形成保护层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成隔离结构之前，所述初始保护层的材料为非晶硅。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始保护层的工艺包括化学气相沉积工艺；形成所述初始保护层的反应物包括：SiH₄；形成所述初始保护层的工艺参数包括：SiH₄的流量为10sccm～800sccm；反应温度为260℃～500℃，气体压强为0.01Torr～10Torr。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护离子为碳离子或氮离子。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始保护层进行第二离子注入的工艺参数包括：注入剂量为1.0E14atoms/cm²～1.0E17atoms/cm²；注入能量为1KeV～35KeV，注入角度为0°～20°。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为15埃～50埃。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述基底的步骤包括：提供初始基底；对所述初始基底进行第一离子注入，在所述初始基底中注入掺杂离子；对所述初始基底进行刻蚀，形成基底和位于所述基底中的隔离凹槽。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述基底的步骤包括：提供初始基底；对所述初始基底进行刻蚀形成基底和位于所述基底中隔离凹槽；对所述基底进行第一离子注入，在所述隔离凹槽之间的基底中注入掺杂离子。

10.如权利要求8或9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括：衬底和位于所述衬底上的鳍部，相邻鳍部之间的间隙为所述隔离凹槽。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述隔离凹槽中形成隔离结构的工艺包括：在所述隔离凹槽中形成初始隔离结构，所述初始隔离结构表面高于所述鳍部顶部表面；对所述初始隔离结构进行刻蚀，使所述初始隔离结构表面低于所述鳍部高度，形成隔离结构。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：对所述初始隔离结构进行刻蚀的过程中，对所述保护层进行刻蚀，暴露出所述鳍部部分侧壁和顶部表面。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述初始隔离结构的工艺包括：流体化学气相沉积工艺；通过流体化学气相沉积工艺形成所述初始隔离结构的步骤包括：在所述隔离凹槽中形成前驱体；对所述前驱体进行退火处理，激活所述前驱体，形成初始隔离结构。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述前驱体进行退火处理的过程中，对所述保护层进行氧化。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构之前，所述保护层的材料为含有保护离子的非晶硅；形成所述隔离结构之后，所述保护层的材料为含有保护离子的氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。

16.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底和位于所述基底中的隔离凹槽，所述隔离凹槽之间的基底中具有掺杂离子；

部分或完全覆盖所述隔离凹槽侧壁的保护层；

位于所述隔离凹槽中的隔离结构，所述掺杂离子在所述保护层中的扩散速率小于所述掺杂离子在所述隔离结构中的扩散速率。