[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

多个半导体元件，所述多个半导体元件被配置在同一半导体基板，该半导体基板包括带隙比硅宽的半导体；以及

多个电极焊盘，所述多个电极焊盘以规定的平面布局被配置在所述半导体基板的正面，并且分别与所述多个半导体元件电连接，

将使所述电极焊盘的电位引出到外部的端子销分别隔着镀膜而焊料接合到全部的所述电极焊盘上，

所述多个半导体元件由第一半导体元件和一个以上的第二半导体元件构成，

所述第一半导体元件进行主动作，

所述第二半导体元件保护或者控制所述第一半导体元件，

所述第二半导体元件配置为两个以上，

所述半导体装置具有将与两个以上的所述第二半导体元件中的各个分别电连接的所述电极焊盘以隔着与所述第一半导体元件电连接的所述电极焊盘的方式分开配置在两个位置而成的平面布局。

2.一种半导体装置，其特征在于，具备：

多个半导体元件，所述多个半导体元件被配置在同一半导体基板，该半导体基板包括带隙比硅宽的半导体；以及

多个电极焊盘，所述多个电极焊盘以规定的平面布局被配置在所述半导体基板的正面，并且分别与所述多个半导体元件电连接，

将使所述电极焊盘的电位引出到外部的端子销分别隔着镀膜而焊料接合到全部的所述电极焊盘上，

所述多个半导体元件由第一半导体元件和一个以上的第二半导体元件构成，

所述第一半导体元件进行主动作，

所述第二半导体元件保护或者控制所述第一半导体元件，

所述第二半导体元件是保护所述第一半导体元件免受过电压损害的第一过电压保护部、检测流到所述第一半导体元件的电流的电流感测部、检测所述第一半导体元件的温度的温度感测部、或者控制所述第一半导体元件的运算电路部，

成为所述电流感测部的所述第二半导体元件的元件结构由所述第一半导体元件的元件结构的一部分构成，

所述第一半导体元件具有：

第二导电型的第一半导体区域，其设置在第一导电型的所述半导体基板的正面侧；

第一导电型的第二半导体区域，其选择性地设置在所述第一半导体区域的内部；

栅绝缘膜，其与所述第一半导体区域的在所述第二半导体区域和所述半导体基板之间的区域接触而设置；

栅极，其以隔着所述栅绝缘膜的方式设置在与所述第一半导体区域相反的一侧；

第一电极，其与所述第一半导体区域和所述第二半导体区域接触；以及

第二电极，其与所述半导体基板的背面接触，

将所述第一电极作为与所述第一半导体元件电连接的所述电极焊盘，

所述第一半导体区域和所述第二半导体区域以与电连接于所述第一半导体元件的所述电极焊盘、以及分别电连接于多个所述第二半导体元件的所述电极焊盘在深度方向上相向的规定的布局配置，

由所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的、与所述电极焊盘在深度方向上相向的部分构成所述电流感测部，所述电极焊盘与成为所述电流感测部的所述第二半导体元件电连接，

所述第一半导体元件还具有第三半导体区域，该第三半导体区域选择性地设置在从所述半导体基板的正面起算比所述第一半导体区域深的位置，并且与该第一半导体区域接触，

所述第三半导体区域以与所述第一半导体区域的成为所述电流感测部的部分相邻的方式配置。

3.根据权利要求1记载的半导体装置，其特征在于，具有将与多个所述第二半导体元件中的各个分别电连接的所述电极焊盘配置在供主电流流动的活性区域的中央部而成的平面布局。

4.根据权利要求2记载的半导体装置，其特征在于，具有将与多个所述第二半导体元件中的各个分别电连接的所述电极焊盘配置在供主电流流动的活性区域的中央部而成的平面布局。

5.根据权利要求1至4中任一项记载的半导体装置，其特征在于，所述第二半导体元件配置为两个以上，

所述半导体装置具有将与两个以上的所述第二半导体元件中的各个分别电连接的所述电极焊盘以直线状配置为1列而成的平面布局。