[发明专利]一种减小电源网络电阻影响的DDR2 DRAM ODT结构有效
申请号: | 201610792364.7 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106356089B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 刘海飞 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C11/4094 | 分类号: | G11C11/4094 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 胡乐 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减小 电源 网络 电阻 影响 ddr2dramodt 结构 | ||
【权利要求书】:
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