[发明专利]一种A相或B相二氧化钒薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610792641.4 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107794497B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 曹逊;金平实;孙光耀;李荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁控溅射制备A相或B相二氧化钒薄膜的方法，其特征在于，以A相二氧化钒陶瓷靶或B相二氧化钒陶瓷靶作为靶材，以氩气为溅射气体对所述靶材进行溅射以在衬底上无需退火处理便形成A相或B相二氧化钒薄膜，其中控制背底真空为5～10×10-5 Pa、溅射功率为50～150W，溅射时间为5～300分钟，沉积温度为350～500℃、沉积全压为0.5～5.0Pa。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氩气的纯度为99.99%。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述衬底为钛酸锶STO、铝酸镧LAO、铌镁酸铅－钛酸铅PMN-PT、铝酸锶钽镧LAST、铝酸锶钽钕NSAT、镓酸钕NdGaO3、钪酸钇YScO3、钪酸钬HoScO3、钪酸铽TbScO3、钪酸镝DyScO3和钪酸钆GdScO3中的至少一种。
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