[发明专利]集成有结型场效应晶体管的器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成有结型场效应晶体管的器件，所述器件包括JFET区和功率器件区，设于所述器件背面的第一导电类型的漏极，和设于所述漏极朝向所述器件正面的面上的第一导电类型区，所述JFET区和功率器件区共享所述漏极和第一导电类型区；其特征在于，所述JFET区还包括：

JFET源极，为第一导电类型；

JFET源极的金属电极，形成于所述JFET源极上与所述JFET源极接触；

复合阱区结构，为第二导电类型且设于所述第一导电类型区内，包括第一阱和位于所述第一阱内的第二阱，所述第二阱的离子浓度大于所述第一阱的离子浓度，所述复合阱区结构在所述JFET源极的两侧各形成有一个，且所述JFET源极横向延伸进入所述第一阱和第二阱内；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；

JFET金属栅极，设于所述JFET源极两侧的所述复合阱区结构上；

其中，所述第二阱形成导电沟道。

2.根据权利要求1所述的集成有结型场效应晶体管的器件，其特征在于，所述JFET区和功率器件区交界处形成有一所述第一阱，作为JFET区和功率器件区的隔离。

3.根据权利要求1所述的集成有结型场效应晶体管的器件，其特征在于，所述器件是垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管VDMOS。

4.根据权利要求3所述的集成有结型场效应晶体管的器件，其特征在于，所述功率器件区还包括栅极、第二阱、设于所述第二阱内第一导电类型的VDMOS源极、以及设于所述第二阱底部的第二导电类型的钳位区。

5.根据权利要求4所述的集成有结型场效应晶体管的器件，其特征在于，各所述第二阱内形成有沟槽，所述功率器件区还包括VDMOS源极金属接触，各第二阱内与所述沟槽的底部接触处形成有第二导电类型的欧姆接触区，所述VDMOS源极金属接触填充于所述功率器件区的沟槽内、贯穿所述VDMOS源极并延伸至所述欧姆接触区，所述JFET金属栅极填充于所述JFET区的沟槽内并延伸至所述欧姆接触区，所述欧姆接触区的离子浓度大于所述第二阱的离子浓度。

6.根据权利要求5所述的集成有结型场效应晶体管的器件，其特征在于，在所述功率器件区的第二阱内，所述VDMOS源极和所述欧姆接触区之间还形成有第二导电类型的非钳位感性开关区，所述非钳位感性开关区的离子浓度大于所述第二阱的离子浓度。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的集成有结型场效应晶体管的器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，所述第一导电类型区为N型外延层。

8.一种集成有结型场效应晶体管的器件的制造方法，所述器件包括JFET区和功率器件区，其特征在于，所述方法包括：

提供第一导电类型的衬底，所述衬底上形成有第一导电类型区；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；

向第一导电类型区中注入第二导电类型的离子并推阱，在所述第一导电类型区内形成第一阱；

先后生长场氧层和栅氧层，在所述第一导电类型区表面形成多晶硅层，向所述第一导电类型区注入第二导电类型的离子并推阱形成多个第二阱，位于所述JFET区的所述第二阱分别形成于不同的所述第一阱内；

向所述功率器件区的第二阱中注入第一导电类型的离子，形成功率器件源极；

向所述JFET区的两相邻第二阱之间注入第一导电类型的离子，形成JFET源极；

光刻并刻蚀接触孔，淀积金属层，填入所述接触孔内，分别形成JFET源极的金属电极、JFET金属栅极及功率器件源极的金属接触。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述第一导电类型区内形成第一阱的步骤，包括在所述JFET区和功率器件区交界处形成第一阱作为JFET区和功率器件区的隔离。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述向所述第一导电类型区注入第二导电类型的离子并推阱形成多个第二阱的步骤中，是以所述场氧层和多晶硅层为掩膜进行注入。