[发明专利]具有分离式平面场板结构的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有分离式平面场板结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成源极、漏极和栅极，在所述栅极和所述漏极之间的半导体衬底中形成有漂移区，

步骤二、形成第一介质层，以覆盖所述半导体衬底的表面以及源极、漏极和栅极，

步骤三、在所述第一介质层上形成第一场板层，且所述第一场板层至少部分位于所述漂移区的上方并靠近所述栅极一侧。

2.如权利要求1所述的具有分离式平面场板结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一场板层全部位于所述漂移区的上方或所述第一场板层部分位于所述栅极的上方。

3.如权利要求1所述的具有分离式平面场板结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤三之后还包括以下步骤：

步骤四、形成第二介质层，以覆盖所述第一介质层的表面以及第一场板层，

步骤五、在所述第二介质层上形成第二场板层，且所述第二场板层位于所述漂移区的上方并靠近所述第一场板层一侧，

交替循环执行所述步骤四和所述步骤五一次以上，且后一步骤形成的第二场板层靠近相邻前一步骤形成的第二场板层一侧。

4.如权利要求3所述的具有分离式平面场板结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，上下相邻两层场板层在垂直方向上完全错开或部分重叠。

5.如权利要求3所述的具有分离式平面场板结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二介质层比所述第一介质层厚，后一步骤形成的所述第二介质层比相邻前一步骤形成的所述第二介质层厚。

6.如权利要求1所述的具有分离式平面场板结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤三之后还包括以下步骤：

步骤四、减薄所述第一介质层覆盖有场板层之外的区域以及，

步骤五、在减薄后的所述第一介质层上形成第二场板层，且所述第二场板层位于所述漂移区的上方并靠近所述第一场板层一侧，

交替循环执行所述步骤四和所述步骤五一次以上，且后一步骤形成的第二场板层靠近相邻前一步骤形成的第二场板层一侧。

7.如权利要求1所述的具有分离式平面场板结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤三之后还包括以下步骤：

步骤四、刻蚀覆盖有场板层之外的介质层直至露出半导体衬底以及，

步骤五、形成第二介质层，以覆盖所述半导体衬底的表面以及露出的场板层表面，在所述第二介质层上形成第二场板层，且所述第二场板层位于所述漂移区的上方并靠近所述第一场板层一侧，

交替循环执行所述步骤四和所述步骤五一次以上，且后一步骤形成的第二场板层靠近相邻前一步骤形成的第二场板层一侧。

8.如权利要求1所述的具有分离式平面场板结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一场板层包括Ag、Au、Cu、Pd、Cr、Mo、Ti、Ta、W和Al中的一种或几种金属材料或多晶硅半导体材料或金属硅化物。

9.如权利要求1所述的具有分离式平面场板结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤三之后，还包括以下步骤：

沉积第三介质层，以覆盖所述第一介质层的表面以及所述第一场板层，

平坦化所述第三介质层，其中，所述第三介质层和所述第一介质层为相同的材料。

10.一种具有分离式平面场板结构的半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有源极、漏极和栅极，在所述栅极和所述漏极之间的半导体衬底中形成有漂移区；

第一介质层，覆盖所述半导体衬底的表面以及源极、漏极和栅极；

第一场板层，形成在所述第一介质层上，所述第一场板层至少部分位于所述漂移区的上方并靠近所述栅极一侧。

11.如权利要求10所述的具有分离式平面场板结构的半导体器件，其特征在于，所述第一场板层全部位于所述漂移区的上方或所述第一场板层部分位于所述栅极的上方。